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    Van der Waals Multi‐Heterostructures (PN, PIN, and NPN) for Dynamic Rectification in 2D Materials.
    Aftab, Sikandar ; Samiya ; et al.
    In: Advanced Materials Interfaces, Jg. 7 (2020-12-17), Heft 24, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    A Comparison of Field and Current-Driven Hot-Carrier Reliability in NPN SiGe HBTs.
    Wier, Brian R. ; Raghunathan, Uppili S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-07-01), Heft 7, S. 2244-2250
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Coupling electron-hole and electron-ion plasmas: Realization of an npn plasma bipolar junction phototransistor.
    Wagner, C. J. ; Tchertchian, P. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-09-27), Heft 13, S. 134102-1- (3S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Franz-Keldysh effect in lateral GaAs/AlGaAs based npn structures.
    Baumgartner, P. ; Engel, C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 70 (1997-05-26), S. 2876-2878
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Improving Linearity and Robustness of RF LDMOS by Mitigating Quasi-Saturation Effect.
    Mo, Haifeng ; Zhang, Yaohui ; et al.
    In: Active & Passive Electronic Components, 2019-07-14, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A simulation-based evaluation of single-event burnout mechanisms and varied SEB hardening designs in power LDMOS transistors.
    Lei, Yibo ; Fang, Jian ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 135 (2022-08-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    PRECISE DOSE EVALUATION USING A COMMERCIAL PHOTOTRANSISTOR AS A RADIATION DETECTOR.
    Santos, L.A. P. ; Barros, F. R. ; et al.
    In: Radiation Protection Dosimetry, Jg. 120 (2006-09-15), Heft 1-4, S. 60-63
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A study of the effects of the base doping profile on SiGe heterojunction bipolar transistor performance for all levels of injection.
    Khanduri, Gagan ; Panwar, Brishbhan
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 21 (2006-04-01), Heft 4, S. 486-493
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Observation of single event burnout (SEB) in an SOI NLDMOSFET using a pulsed laser.
    Shu, Lei ; Qi, Chun-Hua ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 116 (2021), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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