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    Investigation and Modeling of Hot Carrier Effects on Performance of 45- and 55-nm NMOSFETs With RF Automatic Measurement
    Chien, Shan-Chieh ; Chen, D.C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-06-01), S. 1541-1546
    Online unknown
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    Cryogenic Performance of Low-Noise InP HEMTs: A Monte Carlo Study
    Grahn, Jan ; Rodilla, Helena ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-05-01), S. 1625-1631
    Online unknown
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    Characterization and Modeling of Cryogenic Ultralow-Noise InP HEMTs
    Grahn, Jan ; Schleeh, Joel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013), S. 206-212
    Online unknown
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    High-Density Three-Dimensional Stacked nand Flash With Common Gate Structure and Shield Layer
    Lee, Jong-Ho ; Joe, Sung-Min ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-12-01), S. 4212-4218
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    Intrinsic Capacitance Characteristics of Top-Contact Organic Thin-Film Transistors
    Kim, Youngmin ; Kim, Kangmin
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-09-01), S. 2344-2347
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    Dynamic Response of Normal and Corbino a-Si:H TFTs for AM-OLEDs
    Kanicki, Jerzy ; Lee, Hojin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-09-01), S. 2338-2347
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    Compact Modeling of Lateral Nonuniform Doping in High-Voltage MOSFETs
    Bakeroot, Benoit ; Declercq, Michel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-06-01), S. 1527-1539
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    At-Bias Extraction of Access Parasitic Resistances in AlGaN/GaN HEMTs: Impact on Device Linearity and Channel Electron Velocity
    Bolognesi, Colombo R. ; DiSanto, D.W.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-12-01), S. 2914-2919
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Analysis of the gate-source/drain capacitance behavior of a narrow-channel FD SOI NMOS device considering the 3-D fringing capacitances using 3-D simulation
    Chen, Chien-Chung ; Su, Ke-Wei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-10-01), S. 2559-2563
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