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    Dielectric based charge carrier tuning for CNT CMOS inverters
    Mohan, Sangeneni ; Naik, Akshay ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 34 (2018-12-10), S. 015015-15015
    Online unknown
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    Reliability aspects of the low-frequency noise behaviour of submicron CMOS technologies
    Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 14 (1999), S. R61- (11S.)
    Online unknown
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    Fabrication and characterization of a charge-biased CMOS-MEMS resonant gate field effect transistor
    Wang, Yu-Lin ; Chin, Chi-Hang ; et al.
    In: Journal of Micromechanics and Microengineering, Jg. 24 (2014-07-31), S. 095005-95005
    Online unknown
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    A CMOS AC/DC charge pump for a wireless sensor network
    Weining, Ni ; Yu-De, Yu ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 33 (2012-10-01), S. 105003-105003
    Online unknown
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    Die-level, post-CMOS processes for fabricating open-gate, field-effect biosensor arrays with on-chip circuitry
    Chang, Chao-Min ; Lin, Jhih-Min ; et al.
    In: Journal of Micromechanics and Microengineering, Jg. 18 (2008-10-22), S. 115032-115032
    Online unknown
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    A flexible logic circuit based on a MOS-NDR transistor in standard CMOS technology
    Wei, Wang ; Beiju, Huang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 31 (2010-05-01), S. 055007-55007
    Online unknown
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    A CMOS–MEMS arrayed resonant-gate field effect transistor (RGFET) oscillator
    Li, Sheng-Shian ; Chin, Chi-Hang ; et al.
    In: Journal of Micromechanics and Microengineering, Jg. 25 (2015-10-13), S. 115025-115025
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    The past and future of multi-gate field-effect transistors: Process challenges and reliability issues
    Chen, Bing ; Zhang, Rui ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 42 (2021-02-01), S. 023102-23102
    Online unknown
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    Performance tunability of field-effect transistors using MoS2(1−x)Se2x alloys
    Varrla, Eswaraiah ; Sanjay, Sooraj ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-08-06), S. 435202-435202
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Understanding ambipolar transport in MoS2 field effect transistors: the substrate is the key
    Leonhardt, Alessandra ; Lin, Dennis ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-01-06), S. 135202-135202
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    GaN-based complementary inverter logic gate using InGaN/GaN superlattice capped enhancement-mode field-effect-transistors
    Ganguly, Swaroop ; Saha, Dipankar ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-05-12), S. 315206-315206
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Single-electron and quantum confinement limits in length-scaled silicon nanowires
    Durrani, Zahid A. K. ; Wang, Chen ; et al.
    2015
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Total ionizing dose effects in multiple-gate field-effect transistor
    Marcandella, Claude ; Richard, Nicolas ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 32 (2017-07-04), S. 083003-83003
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    The RFET—a reconfigurable nanowire transistor and its application to novel electronic circuits and systems
    Heinzig, Andre ; Mikolajick, Thomas ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 32 (2017-03-01), S. 043001-43001
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High-gain complementary metal-oxide-semiconductor inverter based on multi-layer WSe2field effect transistors without doping
    Lee, Jong-Ho ; Kang, Won-Mook ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 31 (2016-09-01), S. 105001-105001
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    An integrated digital silicon micro-accelerometer with MOSFET-type sensing elements
    Lee, Joong-Won ; Jong Uk Bu ; et al.
    In: Journal of Micromechanics and Microengineering, Jg. 10 (2000-06-13), S. 350-358
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Random dopant fluctuations and statistical variability in n-channel junctionless FETs
    Nima Dehdashti Akhavan ; Umana-Membreno, Gilberto A. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2017-12-12), S. 025203-25203
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Strained-Si heterostructure field effect transistors
    Maiti, C. K. ; Chattopadhyay, Sanatan ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 13 (1998-11-01), S. 1225-1246
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Performance enhancement of c-CESL-strained 95-nm-gate NMOSFET using trench-based structure
    Qi, Yu ; Di, Zhao ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 36 (2015), S. 014010-14010
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Operation and scalability of dopant-segregated Schottky barrier MOSFETs with recessed channels
    Shih, Chun-Hsing ; Hsia, Jui-Kai
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 28 (2013-10-18), S. 115008-115008
    Online unknown
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