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    The past and future of multi-gate field-effect transistors: Process challenges and reliability issues
    Chen, Bing ; Zhang, Rui ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 42 (2021-02-01), S. 023102-23102
    Online unknown
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    A review on performance comparison of advanced MOSFET structures below 45 nm technology node
    Mendiratta, Namrata ; Suman Lata Tripathi
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-06-01), S. 061401-61401
    Online unknown
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    Total ionizing dose effects in multiple-gate field-effect transistor
    Marcandella, Claude ; Richard, Nicolas ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 32 (2017-07-04), S. 083003-83003
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    ZnO on nickel RF micromechanical resonators for monolithic wireless communication applications
    Wang, Jing ; Avila, Adrian ; et al.
    In: Journal of Micromechanics and Microengineering, Jg. 27 (2017-03-23), S. 055006-55006
    Online unknown
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    The RFET—a reconfigurable nanowire transistor and its application to novel electronic circuits and systems
    Heinzig, Andre ; Mikolajick, Thomas ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 32 (2017-03-01), S. 043001-43001
    Online unknown
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    Multi sub-band Monte Carlo simulation of an ultra-thin double gate MOSFET with 2D electron gas
    Chassat, C. ; Saint-Martin, Jérôme ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 21 (2006-02-21), S. L29- (3S.)
    Online unknown
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    Reliable characteristics and stabilization of on-membrane SOI MOSFET-based components heated up to 335 °C
    André, Nicolas ; Udrea, Florin ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 32 (2016-12-19), S. 014001-14001
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Interface modification of HfO2-based ReRAM via low temperature anneal
    Joseph E. Van Nostrand ; Beckmann, Karsten ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 34 (2019-09-16), S. 105021-105021
    Online unknown
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