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    Design optimization of SiGe BiCMOS Silicon Controlled Rectifier for Charged Device Model (CDM) protection applications
    Cui, Qiang ; Liou, Juin J. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 54 (2014), S. 57-63
    Online unknown
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    Investigation on CDM ESD events at core circuits in a 65-nm CMOS process
    Tang Long Chang ; Lin, Chun-Yu ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 52 (2012-11-01), S. 2627-2631
    Online unknown
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    Secondary ESD clamp circuit for CDM protection of over 6Gbit/s SerDes application in 40nm CMOS
    Okushima, Mototsugu ; Tsuruta, Junji
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 53 (2013-02-01), S. 215-220
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A 3-D circuit model to evaluate CDM performance of Ics
    P.C. de Jong ; Mouthaan, A.J. ; et al.
    In: Microelectronics reliability, Jg. 45 (2005-11-01), Heft 9-11, S. 1425-1429
    Online unknown
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    Implementation of diode and bipolar triggered SCRs for CDM robust ESD protection in 90nm CMOS ASICs
    Gauthier, Robert J. ; Chatty, Kiran V. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 47 (2007-07-01), S. 1030-1035
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Discharge current analysis with charged connector pins
    Fung, Rita ; Wong, Rick ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 115 (2020-12-01), S. 113977-113977
    Online unknown
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    OBIRCH analysis of electrically stressed advanced graphic ICs
    Liao, J.Y. ; Marks, H.L. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 47 (2007-09-01), Heft 9-11, S. 1565-1568
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Gate-controlled field-effect diodes and silicon-controlled rectifier for charged-device model ESD protection in advanced SOI technology
    Cao, Shuqing ; Beebe, Stephen G. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 51 (2011-04-01), S. 756-764
    Online unknown
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    Active ESD protection circuit design against charged-device-model ESD event in CMOS integrated circuits
    Chen, Shih-Hung ; Ker, Ming-Dou
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 47 (2007-09-01), S. 1502-1505
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Real-world printed circuit board ESD failures
    Olney, Andrew H. ; Righter, Alan ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 45 (2005-02-01), S. 287-295
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    OBIRCH analysis of electrically stressed advanced graphic ICs
    Liao, Joy ; Howard Lee Marks ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 47 (2007-09-01), S. 1565-1568
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    ESD protection strategies in advanced CMOS SOI ICs
    Khazhinsky, Michael G.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 47 (2007-09-01), S. 1313-1321
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    ESD Susceptibility of Submicron Air Gaps
    Wolf, Heinrich ; Gieser, Horst ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006-09-01), S. 1587-1590
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    New considerations for MOSFET power clamps
    Poon, Steven S. ; Maloney, Timothy J.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 43 (2003-07-01), S. 987-991
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Study of the ESD behavior of different clamp configurations in a 0.35 μm CMOS technology
    Maene, N. ; Bellens, R. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 38 (1998-11-01), S. 1733-1739
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Comparison of different on-chip ESD protection structures in a 0.35 μm CMOS technology
    Maene, N. ; Richier, C. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 37 (1997-10-01), S. 1537-1540
    Online unknown
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