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    Cryogenic characterization and modeling of a CMOS floating-gate device for quantum control hardware
    Prati, Enrico ; Ferrari, Giorgio ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 189 (2022-03-01), S. 108190-108190
    Online unknown
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    Monolithic integration of GMR sensors for standard CMOS-IC current sensing
    A. De Marcellis ; Freitas, Paulo P. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 135 (2017-09-01), S. 100-104
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    28 nm CMOS process ESD protection based on diode-triggered silicon controlled rectifier
    Guo, Wei ; Jin, Hao ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 137 (2017-11-01), S. 128-133
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    Design of embedded SCR device to improve ESD robustness of stacked-device output driver in low-voltage CMOS technology
    Yan Lian Chiu ; Lin, Chun-Yu
    In: Solid-State Electronics, Jg. 124 (2016-10-01), S. 28-34
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    An ultra-wideband CMOS PA with dummy filling for reliability
    Luhmann, Neville C. ; Domier, Calvin ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 129 (2017-03-01), S. 125-133
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    Reconfigurable field effect transistor for advanced CMOS: Advantages and limitations
    Navarro, Carlos ; Lacord, Joris ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 128 (2017-02-01), S. 155-162
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    Study of drain-extended NMOS under electrostatic discharge stress in 28 nm and 40 nm CMOS process
    Jin, Hao ; Zhong, Lei ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 116 (2016-02-01), S. 80-87
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    Attainment of dual-band edge work function by using a single metal gate and single high-k dielectric via ion implantation for HP CMOS device
    Xu, Gaobo ; Xiaoxun, Wang ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 115 (2016), S. 26-32
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    Integration of GMR-based spin torque oscillators and CMOS circuitry
    Chen, Tingsu ; Rodriguez, Saul ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 111 (2015-09-01), S. 91-99
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    Effects of shallow trench isolation on low frequency noise characteristics of source-follower transistors in CMOS image sensors
    Kwon, Sung-Kyu ; Song, Hyeong-Sub ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 119 (2016-05-01), S. 29-32
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    High mobility CMOS technologies using III–V/Ge channels on Si platform
    Takenaka, Mitsuru ; Yamada, Hisashi ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 88 (2013-10-01), S. 2-8
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    60-GHz transmit/receive switch using a p–n diode and MOS transistors in 130-nm CMOS
    Kenneth, K. O ; Mao, Chuying
    In: Solid-State Electronics, Jg. 79 (2013), S. 79-86
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    IGBT Scaling Principle Toward CMOS Compatible Wafer Processes
    Omura, Ichiro ; Tanaka, Masahiro
    In: Solid-State Electronics, Jg. 80 (2012-12-20), S. 118-123
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    An approach based on neural computation to simulate the nanoscale CMOS circuits: Application to the simulation of CMOS inverter
    Djeffal, Fayçal ; Hafiane, M.L. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 51 (2007), S. 48-56
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    A study of gateless OTP cell using a 45nm CMOS compatible process
    Chrong Jung Lin ; Shih, H. C. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 53 (2009-10-01), S. 1092-1098
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    CMOS and post-CMOS on-chip microwave pulse power detectors
    Melngailis, John ; Jeon, Woochul
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-06-01), S. 951-958
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Dual strained channel CMOS in FDSOI architecture: New insights on the device performance
    Bourdelle, Konstantin ; Previtali, B. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, 2011-11-01, S. 9-15
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Quasi-planar bulk CMOS technology for improved SRAM scalability
    Kai Ling Chiu ; Liu, Tiehui ; et al.
    In: Solid-State Electronics, 2011-11-01, S. 184-190
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    Demonstration of Conductive Bridging Random Access Memory (CBRAM) in logic CMOS process
    Foroozan Sarah Koushan ; Saenz, Juan ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 58 (2011-04-01), S. 54-61
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    Very low-power CMOS LNA for UWB wireless receivers using current-reused topology
    Kao, Hsuan-Ling ; Chang, K.C.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008), S. 86-90
    Online unknown
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