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    Design and Implementation of Hybrid Multiple Valued Logic Error Detector using Single Electron Transistor and CMOS at 120nm Technology
    Dakhole, Pravin ; Raut, Vaishali
    In: IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, Jg. 225 (2017-08-01), S. 012160-12160
    Online unknown
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    IC design of low power, wide tuning range VCO in 90 nm CMOS technology
    Faen, Liu ; Zhigong, Wang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 35 (2014-12-01), S. 125013-125013
    Online unknown
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    RF CMOS modeling: a scalable model of RF-MOSFET with different numbers of fingers
    Lingling, Sun ; Jun, Liu ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 31 (2010-11-01), S. 114007-114007
    Online unknown
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    TOT01, a time-over-threshold based readout chip in 180nm CMOS technology for silicon strip detectors
    Szczygiel, Robert ; Gryboś, P. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 6 (2011-01-11), S. C01026
    Online unknown
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    RF CMOS modeling: a novel empirical large-signal model for an RF-MOSFET
    Lingling, Sun ; Binyi, Lü ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 31 (2010-04-01), S. 044009-44009
    Online unknown
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    A high voltage Bi-CMOS compatible buffer super-junction LDMOS with an N-type buried layer
    Xiaorong, Luo ; Wei, Wu ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 35 (2014), S. 014009-14009
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    Multi-field simulations and characterization of CMOS-MEMS high-temperature smart gas sensors based on SOI technology
    Covington, James A. ; Lu, CC ; et al.
    In: Journal of Micromechanics and Microengineering, Jg. 18 (2008-05-28), S. 075010-75010
    Online unknown
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    An integrated digital silicon micro-accelerometer with MOSFET-type sensing elements
    Lee, Joong-Won ; Jong Uk Bu ; et al.
    In: Journal of Micromechanics and Microengineering, Jg. 10 (2000-06-13), S. 350-358
    Online unknown
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    Static NMOS circuits for crossbar architectures using silicon nano-wire technology
    Bindal, Ahmet ; Hamedi-Hagh, Sotoudeh
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 22 (2006-12-05), S. 54-64
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    Simulations of backgate sandwich nanowire MOSFETs with improved device performance
    Zhao, Chao ; Zhao, Hengliang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 35 (2014-10-01), S. 104005-104005
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    Physical limits for scaling of integrated circuits
    Nawrocki, Waldemar
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 248 (2010-11-01), S. 012059-12059
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effect of a reset-MOSFET in a high-speed comparator
    Haitao, Liu ; Zhigong, Wang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 30 (2009-07-01), S. 075002-75002
    Online unknown
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    A novel SOI-DTMOS structure from circuit performance considerations
    Zhengsheng, Han ; Wenbin, Song ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 30 (2009-02-01), S. 024002-24002
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Experimental and theoretical study of an improved breakdown voltage SOI LDMOS with a reduced cell pitch
    Bo, Zhang ; Xiaorong, Luo ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 35 (2014-02-01), S. 024007-24007
    Online unknown
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    Fuzzy-logic-based approach to study the electrons mobility in nanoscale Double Gate MOSFETs
    Djeffal, Fayçal ; Dibi, Z. ; et al.
    In: IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, Jg. 41 (2012-12-06), S. 012016-12016
    Online unknown
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