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    Circuit Modeling of Single-Event Transient Pulse Stretching in Digital CMOS
    Massengill, Lloyd W. ; Tuinenga, P.W.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-12-01), S. 3165-3171
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    Radiation Hardened by Design RF Circuits Implemented in 0.13 $\mu$m CMOS Technology
    Kiaei, Sayfe ; Chen, W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-12-01), S. 3449-3454
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    Comparison of a BSIM3V3 and EKV MOSFET model for a 0.5 /spl mu/m CMOS process and implications for analog circuit design
    Foty, D. ; Binkley, David M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 50 (2003-08-01), S. 915-920
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    Analysis of 1/f noise in CMOS preamplifier with CDS circuit
    Sang Hyo Han ; Hee Joon Kim ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 49 (2002-08-01), S. 1819-1823
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    Cosmic ray neutron multiple-upset measurements in a 0.6-/spl mu/m CMOS process
    Hazucha, P. ; Svensson, C.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 47 (2000-12-01), S. 2595-2602
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    Study of N-channel MOSFETs with an enclosed-gate layout in a 0.18 /spl mu/m CMOS technology
    Gingrich, Douglas ; Chen, Li
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 52 (2005-08-01), S. 861-867
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    A pixel readout chip for 10-30 MRad in standard 0.25 /spl mu/m CMOS
    Marchioro, A. ; Snoeys, Walter ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 46 (1999-06-01), S. 156-160
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    Total gamma dose characteristics of CMOS devices in SOI structures based on oxidized porous silicon
    Dorofeev, A.M. ; Bogatirev, Y.V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 44 (1997-10-01), S. 1719-1723
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    A CMOS fully compensated continuous reset system
    O'Connor, Paul ; G. De Geronimo
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 47 (2000-08-01), S. 1458-1462
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    Theoretical study of SEUs in 0.25-/spl mu/m fully-depleted CMOS/SOI technology
    Hesto, P. ; Leray, Jean-Luc ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 41 (1994-12-01), S. 2297-2303
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A radiation-hardened 32-bit microprocessor based on the commercial CMOS process
    Yoshioka, Shinichi ; Nakamura, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 41 (1994-12-01), S. 2481-2486
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    Noise characterization of transistors in a 1.2 /spl mu/m CMOS-SOI technology up to a total-dose of 12 Mrad (Si)
    Jarron, Pierre ; Erik H.M. Heijne ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 41 (1994-12-01), S. 2310-2316
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    The Application of RHBD to n-MOSFETs Intended for Use in Cryogenic-Temperature Radiation Environments
    Alles, Michael L. ; Black, Jeffrey D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), S. 2100-2105
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    Reliability enhancement in high-performance MOSFETs by annular transistor design
    Mayer, D.C. ; King, E.E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 51 (2004-12-01), S. 3615-3620
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    Radiation Effects in Advanced Multiple Gate and Silicon-on-Insulator Transistors
    Paillet, P. ; Claeys, Cor ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-06-01), S. 1970-1991
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    Impact of Strained-Si PMOS Transistors on SRAM Soft Error Rates
    Mahatme, N. N. ; Fang, Yi-Pin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-08-01), S. 845-850
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    Modeling Ion-Induced Pulses in Radiation-Hard SOI Integrated Circuits
    Nelson, David K. ; Fulkerson, David E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-08-01), S. 1406-1415
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    Dose-rate sensitivity of modern nMOSFETs
    Moss, S.C. ; Osborn, Jon V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 52 (2005-12-01), S. 2602-2608
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    MOSFET optimization in deep submicron technology for charge amplifiers
    O'Connor, Paul ; G. De Geronimo
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 52 (2005-12-01), S. 3223-3232
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    Drain current decrease in MOSFETs after heavy ion irradiation
    Vizkelethy, Gyorgy ; Candelori, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 51 (2004-12-01), S. 3150-3157
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