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    Electrical properties and thermal stability of MOCVD grown Ru gate electrodes for advanced CMOS technology
    A[currency]apajna, M. ; HuA ekova, K. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-11-01), Heft 11-12, S. 2412-2416
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Physically based molecular device model in a transient circuit simulator
    In: Chemical Physics, Jg. 326 (2006-07-11), Heft 1, S. 188-196
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Measurement of generation parameters on Ru/HfO.sub.2/Si MOS capacitor
    A[currency]apajna, M. ; Harmatha, L. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 50 (2006-02-01), Heft 2, S. 177-180
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Growth of gadolinium oxide films for advanced MOS structure
    Luptak, R. ; Frohlich, K. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 80 (2005-06-17), S. 154-157
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -