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    A CMOS Compatible, Forming Free TaO~x ReRAM : Nonvolatile memories
    Lohn, A.J. ; Stevens, J.E. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 58 (2013), Heft 5, S. 59-68
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Extending Planar Single-Gate CMOS & Accelerating the Realization of Double-Gate/Multi-Gate CMOS Devices : ULSI process integration
    Borland, J. O. ; Iwai, H. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 330-348
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Wafer Level Statistical Evaluation of the Proton Radiation Hardness of a High-k Dielectric/Metal Gate 45 nm Bulk CMOS Technology : High purity silicon
    Claeys, C. ; Iacovo, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 5, S. 213-224
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Introduction of New Materials into CMOS Devices : High purity silicon
    Iwai, H.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 5, S. 13-22
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    (Invited) Integration Challenges of III-V Materials in Advanced CMOS Logic : Silicon compatible materials, processes and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications
    Hill, R.J. ; Huang, J. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 45 (2012), Heft 6, S. 179-184
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    (Invited) Ultrathin Ni~1~-~xPt~x Films as Electrical Contact in CMOS Devices : Silicon compatible materials, processes and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications
    Zhang, S.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 45 (2012), Heft 6, S. 15-22
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    (Invited) From MEMS-CMOS towards Heterogeneous Integration over Scale : Silicon compatible materials, processes and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications
    Fujita, H. ; Toshiyoshi, H. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 45 (2012), Heft 6, S. 93-100
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Post Si CMOS Graphene Nanoelectronics Technologies : Electrochemical Society
    Sung, C.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY- ALL DIVISIONS-, Jg. Conf 219 (2011), S. 1189-2126
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    (Invited) High Doping/High Electric Field Effects on the Characteristics of CMOS Compatible p-n Junctions : Microelectronics technology and devices - SBMicro 2010
    Simoen, E. ; Eneman, G. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 31 (2010), Heft 1, S. 307-318
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Novel Application of Wafer-Bonded MultiSOI: Junctionless Nanowire Transistors for CMOS Logic : Semiconductor water bonding 11: science, technology, and applications -in honor of Ulrich Gosele
    Wessely, F. ; Krauss, T. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 33 (2010), Heft 4, S. 169-176
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Al-Ge Eutectic Wafer Bonding and Bond Characterization for CMOS Compatible Wafer Packaging : Semiconductor water bonding 11: science, technology, and applications -in honor of Ulrich Gosele
    Sood, S. ; Farrens, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 33 (2010), Heft 4, S. 93-102
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    (Invited) Buried-Channel In~0~.~7Ga~0~.~3As MOSFETs and Vertical In~0~.~7Ga~0~.~3As Tunneling FETs for beyond CMOS Applications : International symposium on high dielectric constant and other dielectric materials for nanoelectronics and photonice; Physics and technology of high-k materials 8
    Lee, J. ; Zhao, H. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 33 (2010), Heft 3, S. 383-392
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    (Invited) Non-Planar Transistors with High-Mobility SiGe/Ge Channels for CMOS Applications : International symposium on high dielectric constant and other dielectric materials for nanoelectronics and photonice; Physics and technology of high-k materials 8
    Tezuka, T. ; Kamata, Y. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 33 (2010), Heft 3, S. 357-366
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    (ZrO~2)~x(La~2O~3)~1~-~x Alloy as High-k Gate Dielectric for Advanced CMOS Devices : International symposium on high dielectric constant and other dielectric materials for nanoelectronics and photonice; Physics and technology of high-k materials 8
    Chen, L. ; Hou, C. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 33 (2010), Heft 3, S. 203-210
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Physical and Electrical Properties of MOCVD and ALD Deposited HfZrO~4 Gate Dielectrics for 32nm CMOS High Performance Logic SOI Technologies : International symposium on high dielectric constant and other dielectric materials for nanoelectronics and photonice; Physics and technology of high-k materials 8
    Kelwing, T. ; Mutas, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 33 (2010), Heft 3, S. 3-14
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    (Invited) The Role of Oxygen in the Development of Hf-Base High-k/Metal Gate Stacks for CMOS Technologies : International symposium on high dielectric constant and other dielectric materials for nanoelectronics and photonice; Physics and technology of high-k materials 8
    Cartier, E.A.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 33 (2010), Heft 3, S. 83-96
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    (Invited) Issues on Interfacial Oxide Layer (IL) in EOT Scaling of High-k/Metal Gate CMOS for 22nm Technology Node and Beyond : International symposium on high dielectric constant and other dielectric materials for nanoelectronics and photonice; Physics and technology of high-k materials 8
    Park, C. ; Kirsch, P.D.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 33 (2010), Heft 3, S. 45-52
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Crystalline Gadolinium Oxide: A Promising High-k Candidate for Future CMOS Generations : International symposium on high dielectric constant and other dielectric materials for nanoelectronics and photonice; Physics and technology of high-k materials 8
    Endres, R. ; Gottlob, H. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 33 (2010), Heft 3, S. 25-30
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    III/V Nanowire FETs for CMOS? : SiGe, Ge, and related compounds; materials, processing, and devices
    Wernersson, L.
    2008
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Opportunities for Group IV Nanowire Devices in Si CMOS Technology : SiGe, Ge, and related compounds; materials, processing, and devices
    Tutuc, E. ; Banerjee, S. ; et al.
    2008
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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