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68 Treffer

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    Deep-Level Transient Spectroscopy of MOS Capacitors on GeSn Epitaxial Layers : High purity silicon
    Simoen, E. ; Vincent, B. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 5, S. 279-290
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Vapor Phase Doping with N-type Dopant into Silicon by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition : SiGe, Ge, and related compounds; materials, processing, and devices
    Takeuchi, S. ; Nguyen, N.D. ; et al.
    2008
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Selective Epitaxial Growth of Germanium on Si Wafers with Shallow Trench Isolation: An Approach for Ge Virtual Substrates : SiGe, Ge, and related compounds; materials, processing, and devices
    Wang, G. ; Leys, F.E. ; et al.
    2008
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Electrical Activity of Dislocations and Defects in Strained Si and Ge Based Devices : SiGe, Ge, and related compounds; materials, processing, and devices
    Simoen, E.R. ; Eneman, G. ; et al.
    2008
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Evaluation of DiMethylAminoGermaniumTetraChloride as a Novel Carbon-Dopant and Germanium Precursor for Germanium and Silicon Germanium Chemical Vapor Deposition : SiGe, Ge, and related compounds; materials, processing, and devices
    Leys, F.E. ; Liu, C. ; et al.
    2008
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    High Hole Mobility SGOI Substrates Obtained by the Germanium Condensation Technique : SiGe, Ge, and related compounds; materials, processing, and devices
    Souriau, L. ; Nguyen, T. ; et al.
    2008
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    From Thin Relaxed SiGe Buffer Layers to Strained Silicon Directly on Oxide : SiGe and Ge materials, processing and devices
    Mantl, S. ; Buca, D. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 7, S. 1047-1056
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    The Deposition of Polycrystalline SiGe with Different Ge Precursors : SiGe and Ge materials, processing and devices
    Shi, X. ; Schaekers, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 7, S. 849-860
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    The Combination of Embedded Si~1~-~xGe~x S/D and Metal Gate Options for High Performance pMOS Transistors : SiGe and Ge materials, processing and devices
    Verheyen, P. ; Severi, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 7, S. 697-712
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Selective Epitaxy of Si/SiGe to Improve pMOS Devices by Recessed Source/Drain and/or Buried SiGe Channels : SiGe and Ge materials, processing and devices
    Loo, R. ; Verheyen, P. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 7, S. 453-466
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Electrochemical Detection of Carbamate Pesticides at Conductive Diamond Electrodes : Chemical sensor symposium
    Rao, T. N. ; Loo, B. H. ; et al.
    In: CHEMICAL SENSORS -FUKUOKA-, Jg. 17 (2001), Heft SUPPL A, S. 160-162
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Thermoelectric Measurements : Electrochemical Society
    Hogan, T. P. ; Loo, S. Y. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 2003, Heft 27, S. 231-246
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High Temperature Power Factor Measurement System for Thermoelectric Materials : Electrochemical Society
    Loo, S. Y. ; Hsu, K. F. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 2003, Heft 27, S. 247-256
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Growth of Polycrystalline Diamond Thin Films Using Halogenated Hydrocarbons : Diamond materials
    Ramesham, R. ; Askew, R. F. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 93-17, S. 394-400
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Ge Epitaxy on (100) Ge: High Growth Rates at Low Temperature from GeH~4 using N~2 as a Carrier Gas : SiGe and Ge materials, processing and devices
    Leys, F. ; Bonzom, R. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 7, S. 209-210
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Quantum Tunneling for Ultra-Low-Power Scaled CMOS Deposition : Electrochemical Society; 224th ECS Meeting Abstracts 2013
    Berger, P. ; Ramesh, A. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, Jg. Conf 224 (2013), S. 2242-2242
    Online Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Tuning the Packing Motifs of Contorted Hexabenzocoronene Thin Films by Post-Deposition Processing : Electrochemical Society
    Hiszpanski, A.M. ; Bruzek, M. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, Jg. Conf 223 (2013), Heft 2, S. 813-813
    Online Konferenz
    Zugriff:
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Stress Simulations of Si- and Ge-Channel FinFETs for the 14 nm-Node and Beyond : Electrochemical Society
    Eneman, G. ; Brunco, D.P. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, Jg. Conf 223 (2013), Heft 1, S. 746-746
    Online Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Identification of Deep Levels Associated with Extended and Point Defects in GeSn Epitaxial Layers Using Dlts : Electrochemical Society
    Gupta, S. ; Simoen, E. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, Jg. Conf 223 (2013), Heft 1, S. 749-749
    Online Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Crystalline Properties and Strain Relaxation Mechanism of CVD Grown GeSn : Electrochemical Society
    Gencarelli, F. ; Vincent, B. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, Jg. 1-7 (2013), S. 3213-3213
    Online Konferenz
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