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    Sub-band structure engineering for advanced CMOS channels
    TAKAGI, Shin-Ichi ; MIZUNO, T ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 5, S. 684-694
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Strained SOI/SGOI dual-channel CMOS technology based on the ge condensation technique
    TEZUKA, Tsutomu ; NAKAHARAI, Shu ; et al.
    In: 3rd International SiGe Technology and Device Meeting (Princeton, New Jersey, 15-17 May 2006), Jg. 22 (2007), Heft 1
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Effects of Substrate Orientation and Channel Stress on Short-Channel Thin SOI MOSFETs
    MAJUMDAR, Amian ; OUYANG, Christine ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 9, S. 2067-2072
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Effect of tensile uniaxial stress on the electron transport properties of deeply scaled FD-SOI n-type MOSFETs
    NAYFEH, H. M ; SINGH, D. V ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 4, S. 288-290
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Strain and channel engineering for fully depleted SOI MOSFETs towards the 32 nm technology node
    ANDRIEU, F ; WEBER, O ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2047-2053
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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