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    Ge integration on Si via rare earth oxide buffers: From MBE to CVD (Invited Paper)
    Costina, Ioan ; Weidner, G. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009-07-01), S. 1615-1620
    Online unknown
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    Structural properties of semipolar InGaN/GaN quantum dot superlattices grown by plasma-assisted MBE
    Lotsari, A. ; Monroy, Eva ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 90 (2012-02-01), S. 108-111
    Online unknown
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    Enhanced photoluminescence from free-standing microstructures fabricated on MBE grown PbSe–PbSrSe MQW structure
    Shi, Zhisheng ; Mukherjee, Shaibal ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 85 (2008-04-01), S. 665-669
    Online unknown
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    In-situ MBE Si as passivating interlayer on GaAs for HfO2 MOSCAP’s: effect of GaAs surface reconstruction
    Marchiori, Chiara ; Germann, Roland ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-09-01), S. 2142-2145
    Online unknown
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    Effect of boiling aqua regia on MOCVD and MBE p-type GaN surfaces and Cr/p-GaN interfaces
    Ladas, Spyridon ; Sygellou, Labrini ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 90 (2012-02-01), S. 115-117
    Online unknown
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    Effect of RuO2 electrode on laser-MBE prepared HfO2 gate dielectrics
    Gopalkrishnan, R. ; Chen, Xuelong ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-02-01), S. 371-375
    Online unknown
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    Characteristics of GdGaO grown by MBE
    Longo, P. ; Stanley, C.R. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009-03-01), S. 244-248
    Online unknown
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    Deep levels in MBE grown AlGaAs/GaAs heterostructures
    BEATRICE, FRABONI ; Flavio, CAPOTONDI ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, 2004-06-01, S. 954-959
    Online unknown
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    Pre-structuring of silicon substrates to investigate MBE-growth of SiGe layers
    Grützmacher, Detlev ; Hartmann, R. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 46 (1999-05-01), S. 275-278
    Online unknown
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    MBE-growth of a Ge–CoSi2–Si heterostructure for vertical metal–semiconductor–metal photodetectors
    Mantl, S. ; Buca, Dan ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 60 (2002), S. 191-196
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Numerical gate capacitance–voltage characteristics and electronic structure of MBE silicon delta-FETs
    Hipólito, O. ; Manzoli, José E.
    In: Microelectronic Engineering, 1998-08-01, S. 661-667
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Atom diffusion during MBE growth on patterned substrate
    Zhong, Zhantian ; Zhou, Joe X. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, 1998-08-01, S. 409-414
    Online unknown
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    Nanofabrication of Si point contacts using gas-source MBE: towards single-crystalline devices
    Radelaar, S. ; Maes, J. W. H. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 27 (1995-02-01), S. 99-103
    Online unknown
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    Two dimensional phonon-drag thermopower in Si0.87Ge0.13/Si (001) heterostructure grown by MBE
    Agan, S. ; Tsaousidou, M. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, 2000-05-01, S. 527-534
    Online unknown
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    Novel quantum wire and quantum dot structures on patterned high-index surfaces by hydrogen-assisted MBE
    R Richard Nötzel ; Ploog, Klaus H.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 47 (1999-06-01), S. 209-213
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Optical absorption and band gap shift of n-doped Al Ga1−As alloys grown by MBE
    A. Ferreira da Silva ; Persson, Clas ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, 1998-08-01, S. 423-429
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Spatial confinement of self-organized MBE-grown In Ga1−As quantum dots
    Quivy, A. A. ; Leite, José R.
    In: Microelectronic Engineering, 1998-08-01, S. 19-23
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Fabrication of buried GaAlAs NM-structures by deep UV holographic lithography and MBE growth on finely channelled substrates
    Morier-Genoud, F. ; Martin, Denis ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 13 (1991-03-01), S. 391-394
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Fabrication of buried quantum structures using FIB-MBE total vacuum process
    Takaoka, Sadao ; Yuba, Yoshihiko ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 35 (1997-02-01), S. 451-454
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    The influence of MBE-layer design on the high frequency performance of Si/SiGe HBTs
    Gruhle, Andreas ; Kasper, Erich ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 19 (1992-09-01), S. 435-438
    Online unknown
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