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    A New Floating-gate Radiation Sensor and Readout Circuit in Standard Single-Poly 130-nm CMOS Technology
    S. M. Rezaul Hasan ; Zhang, Chaoping
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), S. 1906-1915
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    Ionizing Radiation Effects on the Noise of 65 nm CMOS Transistors for Pixel Sensor Readout at Extreme Total Dose Levels
    Gaioni, Luigi ; Ratti, Lodovico ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), S. 550-557
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    Comparison of a 65 nm CMOS Ring- and LC-Oscillator Based PLL in Terms of TID and SEU Sensitivity
    Prinzie, Jeffrey ; Moreira, Paulo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), S. 245-252
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    Design and Characterization of a Built-In CMOS TID Smart Sensor
    Gil, Carlos ; Agustin, Javier ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-04-01), S. 443-450
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    CMOS Flat-Panel X-ray Detector With Dual-Gain Active Pixel Sensors and Column-Parallel Readout Circuits
    Kwon, Oh-Kyong ; Jo, Yun-Rae ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-10-01), S. 2472-2479
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    Implementation Study of Single Photon Avalanche Diodes (SPAD) in <formula formulatype='inline'><tex Notation='TeX'>$0.8~\mu\hbox{m}$</tex> </formula> HV CMOS Technology
    Rheaume, Vincent-Philippe ; Audrey Corbeil Therrien ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-06-01), S. 710-718
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    Radiation Tolerance of Devices and Circuits in a 3D Technology Based on the Vertical Integration of Two 130-nm CMOS Layers
    Ratti, Lodovico ; Manazza, Alessia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), S. 4526-4532
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    An Investigation of Single Event Transient Response in 45-nm and 32-nm SOI RF-CMOS Devices and Circuits
    Sutton, Akil K. ; Cressler, John D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), S. 4405-4411
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    A Wide Temperature, Radiation Tolerant, CMOS-Compatible Precision Voltage Reference<newline/>for Extreme Radiation Environment <newline/>Instrumentation Systems
    Potts, J. ; Leines, M. T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-06-01), S. 2272-2279
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    Novel Soft Error Robust Flip-Flops in 65nm CMOS
    Sachdev, Manoj ; Rennie, David
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-10-01), S. 2470-2476
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    A Commercial 65 nm CMOS Technology for Space Applications: Heavy Ion, Proton and Gamma Test Results and Modeling
    Torras-Flaquer, Josep ; Roche, Philippe ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-08-01), S. 2079-2088
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    A Physics-Based Engineering Methodology for Calculating Soft Error Rates of Bulk CMOS and SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Integrated Circuits
    Fulkerson, David E.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-02-01), S. 348-357
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    Laser Verification of Charge Sharing in a 90 nm Bulk CMOS Process
    Casey, M.C. ; Gadlage, Matthew J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-12-01), S. 3065-3070
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    Device-Physics-Based Analytical Model for Single-Event Transients in SOI CMOS Logic
    Ikeda, Hirokazu ; Ohno, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-12-01), S. 3043-3049
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    On the Radiation Tolerance of SiGe HBT and CMOS-Based Phase Shifters for Space-Based, Phased-Array Antenna Systems
    Thrivikraman, Tushar ; Comeau, J.P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), S. 3246-3252
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    Effects of Guard Bands and Well Contacts in Mitigating Long SETs in Advanced CMOS Processes
    Black, Jeffrey D. ; Robinson, William H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-06-01), S. 1708-1713
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    Temperature Dependence of Spatially Resolved Picosecond Laser Induced Transients in a Deep Submicron CMOS Inverter
    Laird, Jamie S. ; Adell, Philippe C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-02-01), S. 220-228
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    Investigation and Mitigation of Analog SET on a Bandgap Reference in Triple-Well CMOS Using Pulsed Laser Techniques
    Kerwin, David B. ; Hisano, Shinichi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), S. 2570-2577
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    Trade-Offs Between RF Performance and Total-Dose Tolerance in 45-nm RF-CMOS
    Sutton, Akil K. ; Seth, Sachin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), S. 2830-2837
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    An Engineering Model for Single-Event Effects and Soft Error Rates in Bulk CMOS
    Fulkerson, David E.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-04-01), S. 506-515
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