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    Toward Monolithically Integrated Hybrid CMOS-NEM Circuits
    Horace-Herron, Kelsey ; Usai, Giulia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), S. 6430-6436
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    Mixed-Signal Neuromorphic Computing Circuits Using Hybrid CMOS-RRAM Integration
    Saxena, Vishal
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 68 (2021-02-01), S. 581-586
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    Spintronic devices: a promising alternative to CMOS devices
    Bhat, Somashekara ; Barla, Prashanth ; et al.
    In: Journal of Computational Electronics, Jg. 20 (2021-01-19), S. 805-837
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    TiO2−x–TiO2 Memristor Applications for Programmable Analog VLSI Circuits at 45 nm CMOS Technology Node
    Abhay, S. V. ; Vidhyadharan, Sanjay
    In: Transactions on Electrical and Electronic Materials, Jg. 22 (2020-10-31), S. 452-458
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    Efficient detection of transistor stuck-on faults in CMOS circuits using low-overhead single-ended ring oscillators
    Roy, Apratim ; S. M. Ishraqul Huq ; et al.
    In: Journal of Computational Electronics, Jg. 19 (2020-07-27), S. 1685-1694
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    Analysis and mathematical modelling of charge injection effect for efficient performance of CMOS imagers and CDS circuit
    Tiwari, Ashish ; Talwekar, R. H.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 14 (2020-10-01), S. 1038-1048
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    A Low-Power CMOS Current Reference for Piezoelectric Energy Harvesters
    Karlsen, Haakon ; Li, Ping ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-08-01), S. 3403-3410
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    Methods of Improving the Accuracy of Simulating Delays and Peak Currents of Combinational CMOS-Circuits at the Logical Design Level
    Ivanova, G. A. ; Ryzhova, D. I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-12-01), S. 477-484
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    Exploration of Non-Volatile MTJ/CMOS Circuits for DPA-Resistant Embedded Hardware
    Thapliyal, Himanshu ; S. Dinesh Kumar
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 55 (2019-12-01), S. 1-8
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    Carbon Nanotube-Based CMOS SRAM: 1 kbit 6T SRAM Arrays and 10T SRAM Cells
    Shulaker, Max M. ; Lau, Christian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), S. 5375-5380
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    Symbiotic organisms search algorithm for optimal design of CMOS two‐stage op‐amp with nulling resistor and robust bias circuit
    Bishnu Prasad De ; Ghosh, Sumalya ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 13 (2019-07-12), S. 679-688
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    Contrast of latch-up induced by pulsed gamma rays in CMOS circuits after neutron irradiation and TID accumulation
    Yang, Shanchao ; Chen, Wei ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 98 (2019-07-01), S. 42-48
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    Using Schottky Barrier Diode to Improve Latch-Up Immunity for CMOS ICs Operating With Negative Voltage Sources
    Chang, Rong-Kun ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-03-01), S. 395-397
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Reliability Characterization of Ring Oscillator Circuits for Advanced CMOS Technologies
    Nigam, T. ; Kerber, Andreas ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 20 (2020-06-01), S. 230-241
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A fully CMOS RF down-converter with 81.88 dB SFDR for IEEE 802.15.4 based wireless systems
    S. Chrisben Gladson ; Alekhya, K. ; et al.
    In: Microsystem Technologies, Jg. 28 (2019-08-12), S. 745-760
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Synchronous Circuit Design With Beyond-CMOS Magnetoelectric Spin–Orbit Devices Toward 100-mV Logic
    Liu, Huichu ; Karnik, Tanay ; et al.
    In: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Jg. 5 (2019-06-01), S. 1-9
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Determination of DC equivalent hot carrier stress times in scaled CMOS devices using novel AC stress methodology
    Kerber, Andreas ; Nigam, T.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 93 (2019-02-01), S. 98-101
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    Programmable Gates Using Hybrid CMOS-STT Design to Prevent IC Reverse Engineering
    Winograd, Ted ; Mahmoodi, Hamid ; et al.
    In: ACM Transactions on Design Automation of Electronic Systems, Jg. 23 (2018-11-30), S. 1-21
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    Angular dependency on heavy-ion-induced single-event multiple transients (SEMT) in 65 nm twin-well and triple-well CMOS technology
    Chen, Jianjun ; Fang, Liang ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 91 (2018-12-01), S. 278-282
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    Low power and high speed design issues of CMOS Hamming code generation and error detection circuit at 22 nm and 16 nm channel length of MOS transistor
    Sarkar, Angsuman ; De, Debashis ; et al.
    In: Microsystem Technologies, Jg. 27 (2018-09-22), S. 601-612
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