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    Radiation-Hardened CMOS Negative Voltage Reference for Aerospace Application.
    Liu, Fan ; Yang, Feng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-09-01), Heft 9, S. 2505-2510
    Online academicJournal
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    Single-Event Upset Characterization Across Temperature and Supply Voltage for a 20-nm Bulk Planar CMOS Technology.
    Kauppila, J. S. ; Kay, W. H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2613-2619
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Pulsed Laser Single-Event Effects in Highly Scaled CMOS Technologies in the Presence of Dense Metal Coverage.
    Balasubramanian, Anupama ; McMorrow, Dale ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 3401-3406
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Commercial 65 nm CMOS Technology for Space Applications: Heavy Ion, Proton and Gamma Test Results and Modeling.
    Roche, Philippe ; Gasiot, Gilles ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-08-01), Heft 4, S. 2079-2088
    Online academicJournal
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    Design of Time Invariant Analog Front-End Circuits for Deep N-Well CMOS MAPS.
    Ratti, Lodovico ; Manghisoni, Massimo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-08-03), Heft 4, S. 2360-2373
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Impact of 24-GeV Proton Irradiation on 0.13-μm CMOS Devices.
    Gerardin, Simone ; Gasperin, Alberto ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-08-01), Heft 4, S. 1917-1922
    Online academicJournal
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    CMOS Monolithic Active Pixel Sensors for Minimum Ionizing Particle Tracking Using Non-Epitaxial Silicon Substrate.
    Dulinski, Wojciech ; Berst, Jean-Daniel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 51 (2004-08-01), Heft 4, S. 1613-1617
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Crosstalk Effects Caused by Single Event. Hits in Deep Sub-Micron CMOS Technologies.
    Balasubramanian, A. ; Sternberg, A. L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-12-01), Heft 6, S. 3306-3311
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Alpha-Induced Multiple Cell Upsets in Standard and Radiation Hardened SRAMs Manufactured in a 65 nm CMOS Technology.
    Gasiot, G. ; Giot, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-12-01), Heft 6, S. 3479-3486
    Online academicJournal
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    Optimization for SEU/SET Immunity on 0.15 μm Fully Depleted CMOS/SOT Digital Logic Devices.
    Makihara, A. ; Yamaguchi, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-12-01), Heft 6, S. 3422-3427
    Online academicJournal
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    A 0.13-um CMOS Serializer for Data and Trigger Optical Links in Particle Physics Experiments.
    Cervelli, Giovanni ; Marchioro, Alessandro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 51 (2004-06-03), Heft 3, S. 836-841
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Contribution of Control Logic Upsets and Multi-Node Charge Collection to Flip-Flop SEU Cross-Section in 40-nm CMOS.
    Narasimham, Balaji ; Wang, Jung K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3176-3182
    Online academicJournal
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    A 12-Channel CMOS Preamplifier-Shaper-Discriminator ASIC for APD and Gas Counters.
    Yeom, J. Y. ; Defendi, I. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-08-02), Heft 4, S. 2204-2208
    Online academicJournal
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    A Mixed-Signal Spectroscopic-Grade and High-Functionality CMOS Readout Cell for Semiconductor X-γ Ray Pixel Detectors.
    Caccia, Stefano ; Bertuccio, Giuseppe ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-10-02), S. 2721-2726
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A Low-Cost Low-Power CMOS Time-to-Digital Converter Based on Pulse Stretching.
    Chen, Poki ; Chen, Chun-Chi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-08-02), Heft 4, S. 2215-2220
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    Total Ionizing Dose Effects on the Noise Performances of a 0.13 ,μm CMOS Technology.
    Re, Valerio ; Manghisoni, Massimo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-06-03), Heft 3, S. 1599-1606
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    Advanced Active Pixel Architectures in Standard CMOS Technology.
    Marras, Alessandro ; Passeri, Daniele ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 52 (2005-10-03), Heft 5, S. 1869-1872
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    Frequency Dependence of Alpha-Particle Induced Soft Error Rates of Flip-Flops in 40-nm CMOS Technology.
    Jagannathan, S. ; Loveless, T. D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2796-2802
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    Single-Event Transients Effects on Dynamic Comparators in a 90 nm CMOS Triple-Well and Dual-Well Technology.
    Wang, Tao ; Chen, Li ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-12-01), Heft 6, S. 3556-3560
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    Application of RADSAFE to Model the Single Event Upset Response of a 0.25 μm CMOS SRAM.
    Warren, Kevin M. ; Weller, Robert A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-08-02), S. 898-903
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