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    A Low-Parasitic and Common-Centroid Cross-Coupled CMOS Transistor Structure for High-Frequency VCO Design.
    Lee, In-Young ; Yun, Seok-Ju ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-05-01), Heft 5, S. 532-534
    Online academicJournal
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    Assessing Alpha Particle-Induced Single Event Transient Vulnerability in a 90-nm CMOS Technology.
    Gadlage, Matthew J. ; Schrimpf, Ronald D. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-06-01), Heft 6, S. 638-640
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A Functional 41-Stage Ring Oscillator Using Scaled FinFET Devices With 25-nm Gate Lengths and 10-nm Fin Widths Applicable for the 45-nm CMOS Node.
    Collaert, N. ; Dixit, A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-08-01), Heft 8, S. 568-570
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    An Interconnect-Line-Size Optimization Model Considering Scattering Effect.
    Zhu, Zhangming ; Wan, Dajing ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-07-01), Heft 7, S. 641-643
    Online academicJournal
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    The Characteristics of H+ Ion-Sensitive Transistor Driving With MOS Hybrid Mode Operation.
    Kwon, Hyurk-Choon ; Kwon, Dae-Hyuk ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-10-01), Heft 10, S. 1138-1141
    Online academicJournal
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    A High Quality Factor and Low Power Loss Micromachined RF Bifilar Transformer for UWB RFIC Applications.
    Lin, Yo-Sheng ; Liang, Hsiao-Bin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-08-01), Heft 8, S. 684-687
    Online academicJournal
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    NLDD/PHALO-Assisted Low-Trigger SCR for High-Voltage-Tolerant ESD Protection Without Using Extra Masks.
    Shan, Yi ; He, John ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-07-01), Heft 7, S. 778-780
    Online academicJournal
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    A Compact Reconfigurable Counter Memory for Spiking Pixels.
    Chen, Shoushun ; Bermak, Amine ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-04-01), Heft 4, S. 255-257
    Online academicJournal
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    A New Method to Extract EOT of Ultrathin Gate Dielectric With High Leakage Current.
    Luo, Zhijiong ; Ma, T. P.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 25 (2004-09-01), Heft 9, S. 655-657
    Online academicJournal
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    Implementation of Perfect-Magnetic-Coupling Ultralow-Loss Transformer in RFCMOS Technology.
    Lin, Yo-Sheng
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-11-01), Heft 11, S. 832-835
    Online academicJournal
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    PMOS Hole Mobility Enhancement Through SiGe Conductive Channel and Highly Compressive ILD-SiNx Stressing Layer.
    Liao, Wen-Shiang ; Liaw, Yue-Gie ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 86-88
    Online academicJournal
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