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    Series peaked noise matched gm-boosted 3.1―10.6 GHz CG CMOS differential LNA for UWB WiMedia
    KHURRAM, M ; REZAUL HASAN, S. M
    In: Electronics letters, Jg. 47 (2011), Heft 24, S. 1346-1348
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    3.7 mW 24 GHz LNA with 10.1 dB gain and 4.5 dB NF in 0.18 μm CMOS technology
    LEE, J.-H ; CHEN, C.-C ; et al.
    In: Electronics letters, Jg. 46 (2010), Heft 19, S. 1310-1312
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Dual cross-coupling LNA with forward body bias technique
    CHANG, Chia-Hung ; TAO, WANG ; et al.
    In: Electronics letters, Jg. 48 (2012), Heft 18, S. 1100-1102
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    5.7 GHz low-power variable-gain LNA in 0.18 μm CMOS
    WANG, Y. S ; LU, L.-H
    In: Electronics Letters, Jg. 41 (2005), Heft 2, S. 66-68
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ultra-low power series input resonance differential common gate LNA
    TRAN, T. T. N ; BOON, C. C ; et al.
    In: Electronics letters, Jg. 47 (2011), Heft 12, S. 703-704
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    0.99 mW 3―10 GHz common-gate CMOS UWB LNA using T-match input network and self-body-bias technique
    CHANG, J.-F ; LIN, Y.-S
    In: Electronics letters, Jg. 47 (2011), Heft 11, S. 658-659
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    0.5 V ultra-low power wideband LNA with forward body bias technique
    LIU, J ; LIAO, H ; et al.
    In: Electronics letters, Jg. 45 (2009), Heft 6, S. 289-290
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low-power single-to-differential LNA at S-band based on optimised transformer topology and integrated ESD
    GIL, I ; CAIRO, I ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 44 (2008), Heft 3, S. 198-199
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Gain-enhanced 132―160 GHz low-noise amplifier using 0.13 μm SiGe BiCMOS
    BO, ZHANG ; XIONG, Yong-Zhong ; et al.
    In: Electronics letters, Jg. 48 (2012), Heft 5, S. 257-259
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    3.2―9.7 GHz ultra-wideband low-noise amplifier with excellent stop-band rejection
    CHANG, J.-F ; LIN, Y.-S
    In: Electronics letters, Jg. 48 (2012), Heft 1, S. 44-45
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    1.8 dB NF 3.6 mW CMOS active balun low noise amplifier for GPS
    JI, Y ; WANG, C ; et al.
    In: Electronics letters, Jg. 46 (2010), Heft 3, S. 239-240
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Low-power and low NF V-band down-converter in 0.13 μm CMOS
    JUNG, D. Y ; LEE, J. J ; et al.
    In: Electronics letters, Jg. 45 (2009), Heft 10, S. 509-510
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Ka-band low noise amplifier using standard 0.18 μm CMOS technology
    YEN, S.-H ; LIN, Y.-S
    In: Electronics Letters, Jg. 42 (2006), Heft 16, S. 919-920
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Ultra-low-power 2.4 GHz image-rejection low-noise amplifier
    NGUYEN, T.-K ; HAN, S.-K ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 41 (2005), Heft 15, S. 842-843
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Exploiting CMOS short-channel effects for yield enhancement in analogue/RF design
    GOMEZ, D ; MATEO, D
    In: Electronics letters, Jg. 46 (2010), Heft 8, S. 559-561
    academicJournal
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    Low-power, high-gain and low-noise CMOS distributed amplifier for UWB systems
    CHANG, J.-F ; LIN, Y.-S
    In: Electronics letters, Jg. 45 (2009), Heft 12, S. 634-636
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    3-10 GHz low-power, low-noise CMOS distributed amplifier using splitting-load inductive peaking and noise-suppression techniques
    CHANG, J.-F ; LIN, Y.-S
    In: Electronics letters, Jg. 45 (2009), Heft 20, S. 1033-1035
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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