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    CMOS-MEMS Micro-Mirror Arrays by Post-Processing ASMC 0.35- \mu \textm CMOS Chips.
    Cheng, Zhengxi ; Toshiyoshi, Hiroshi
    In: Journal of Microelectromechanical Systems, Jg. 26 (2017-12-01), Heft 6, S. 1435-1441
    Online academicJournal
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    Dark Count Rate Degradation in CMOS SPADs Exposed to X-Rays and Neutrons.
    Ratti, Lodovico ; Brogi, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-02-01), Heft 2, S. 567-574
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A 21-dBm $I/Q$ Digital Transmitter Using Stacked Output Stage in 28-nm Bulk CMOS Technology.
    Gaber, Wagdy M. ; Wambacq, Piet ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 65 (2017-11-01), Heft 11, S. 4744-4757
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Opening Terahertz for Everyday Applications.
    O, Kenneth K. ; Choi, Wooyeol ; et al.
    In: IEEE Communications Magazine, Jg. 57 (2019-08-01), Heft 8, S. 70-76
    Online academicJournal
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    Volltext
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    CMOS Security-Enhanced Passive (SEP) Tag Supporting to Mutual Authentication.
    Kim, Hyunseok ; Ki, Tae-hun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Industrial Electronics, Jg. 61 (2014-09-01), Heft 9, S. 4920-4930
    Online academicJournal
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    Overview of Beyond-CMOS Devices and a Uniform Methodology for Their Benchmarking.
    Nikonov, Dmitri E. ; Young, Ian A.
    In: Proceedings of the IEEE, Jg. 101 (2013-12-01), Heft 12, S. 2498-2533
    Online academicJournal
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    Characterization of 4 K CMOS Devices and Circuits for Hybrid Josephson-CMOS Systems.
    Yoshikawa, N. ; Tomida, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Applied Superconductivity, Jg. 15 (2005-06-01), Heft 2, S. 267-271
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A Wideband RF Power Amplifier in 45-nm CMOS SOI Technology With Substrate Transferred to AlN.
    Chen, Jing-Hwa ; Helmi, Sultan R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 60 (2012-12-15), Heft 12, S. 4089-4096
    Online academicJournal
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    Power-Combining Transformer Techniques for Fully-Integrated CMOS Power Amplifiers.
    An, Kyu Hwan ; Lee, Ockgoo ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 43 (2008-05-01), Heft 5, S. 1064-1075
    Online academicJournal
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    A ±0.75-V Compact CMOS Class-AB Current-Mode Exponential Variable Gain Amplifier.
    De La Cruz-Blas, Carlos A. ; López-Martín, Antonio
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 54 (2007-12-01), Heft 12, S. 1042-1046
    Online academicJournal
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    Fabrication and Electrical Characterization of Fully CMOS-Compatible Si Single-Electron Devices.
    Koppinen, P. J. ; Stewart, M. D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013), Heft 1, S. 78-83
    Online academicJournal
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    A Low-Noise High-Dynamic-Range 17-b 1.3-Megapixel 30-fps CMOS Image Sensor With Column-Parallel Two-Stage Folding-Integration/Cyclic ADC.
    Seo, Min-Woong ; Sawamoto, Takehide ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 12, S. 3396-3400
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Temperature Sensor With an Inaccuracy of -- 1/+0.8 °C Using 90-nm 1-V CMOS for Online Thermal Monitoring of VLSI Circuits.
    Sasaki, Masahiro ; Ikeda, Makoto ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 21 (2008-05-01), Heft 2, S. 201-208
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A 14-nm FinFET Logic CMOS Process Compatible RRAM Flash With Excellent Immunity to Sneak Path.
    Hsieh, E. Ray ; Yen Chen Kuo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-12-01), Heft 12, S. 4910-4918
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    Enhancement of CMOS Performance by Process-Induced Stress.
    Luo, Yuhao ; Nayak, Deepak K.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 18 (2005-02-01), Heft 1, S. 63-68
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Alpha-Induced Multiple Cell Upsets in Standard and Radiation Hardened SRAMs Manufactured in a 65 nm CMOS Technology.
    Gasiot, G. ; Giot, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-12-01), Heft 6, S. 3479-3486
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    THRU-Based Cascade De-embedding Technique for On-Wafer Characterization of RF CMOS Devices.
    Loo, Xi Sung ; Yeo, Kiat Seng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-09-01), Heft 9, S. 2892-2899
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    Methodology for Determination of Process Induced BTI Variability in MG/HK CMOS Technologies Using a Novel Matrix Test Structure.
    Kerber, Andreas
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-03-01), Heft 3, S. 294-296
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    A 1.8-GHz CMOS Power Amplifier Using a Dual-Primary Transformer With Improved Efficiency in the Low Power Region.
    Park, Changkun ; Han, Jeonghu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 56 (2008-04-01), Heft 4, S. 782-792
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    Integrated CMOS Amplifier for ENG Signal Recording.
    Uranga, A. ; Navarro, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Biomedical Engineering, Jg. 51 (2004-12-01), Heft 12, S. 2188-2194
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