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    Challenges for Integration of Source-Drain Contacts into Emerging Future Generation CMOS Devices : Rapid thermal and other short-time processing technologies
    Roy, R. A.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2002, S. 429-440
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Laser Annealing for Ultra-Shallow Junction Formation in Advanced CMOS : Rapid thermal and other short-time processing technologies
    Surdeanu, R. ; Ponomarev, Y. V. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2002, S. 413-426
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Molecular Beam Deposition of Alternate Gate Dielectrics for Si CMOS : Rapid thermal and other short-time processing technologies
    Bojarczuk, N. A. ; Guha, S. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2002, S. 137-144
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Novel HfSiON Gate Dielectric for Advanced CMOS Devices : Rapid thermal and other short-time processing technologies
    Colombo, L. ; Visokay, M. R. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2002, S. 199-206
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Thermal Technologies for Sub-100nm CMOS Scaling: Development Strategies : Rapid thermal and other short-time processing technologies
    Meissner, P. ; Hegedus, A. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2002, S. 37-46
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Hot Carrier Lifetime of SOI CMOS Transistors Fabricated in ADVANTOX : Silicon-on-insulator technology and devices
    Jenkins, W. ; Liu, S. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, , Heft 3, S. 213-218
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Dual Salicide and Self-aligned Metal Gate Formation for Sub-0.25m̆ CMOS Technologies Using CMP : Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing
    Weling, M. ; Lin, X. W.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, , Heft 7, S. 19-25
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Total dose radiation induced back channel threshold voltage shifts and standby currents of CMOS devices fabricated in Unibond materials : Silicon-on-insulator technology and devices
    Liu, S. T. ; Jenkins, W. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, , Heft 23, S. 307-312
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Designing with 3D SOI CMOS : Silicon-on-insulator technology and devices
    Abou Samra, S. J. ; Dudek, V. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, , Heft 23, S. 384-388
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Telecommunications LSIs using 0.25 m̆ CMOS/SIMOX technology : Silicon-on-insulator technology and devices
    Takeya, K.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, , Heft 23, S. 389-400
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Thin TiN capped Ti-salicide technology for 0.25 m̆ CMOS/SIMOX : Silicon-on-insulator technology and devices
    Matsubara, Y. ; Ohnishi, H. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, , Heft 23, S. 110-118
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Screening SIMOX wafers' background doping for SOI CMOS SRAM production : Silicon-on-insulator technology and devices
    Yue, J. ; Liou, H. K. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, , Heft 23, S. 137-142
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    SOI materials for mainstream CMOS technology : Silicon-on-insulator technology and devices
    Maszara, W. P. ; Dockerty, R. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, , Heft 23, S. 15-26
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Low Temperature Packaging of CMOS Infrared Microsystems by Si-Al-Au Bonding : Semiconductor wafer bonding: science, technology, and applications
    Waelti, M. ; Schneeberger ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, , Heft 36, S. 147-154
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Operation of Silicon-Germanium CMOS on Sapphire Technology at Cryogenic Temperatures : Low temperature electronics and high temperature superconductivity
    Mathew, S. J. ; Dubbelday, W. B. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, , Heft 2, S. 270-278
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Comparison Between the Cryogenic Behaviour of Deep Submicron Bulk Si and SOI CMOS Devices : Low temperature electronics and high temperature superconductivity
    Balestra, F. ; Ghibaudo, G.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, , Heft 2, S. 171-186
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Interstitial Oxygen Concentration Role in the DW-LOCOS CMOS Technology : High purity silicon
    Bellutti, P. ; Boscardin, M. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 96-13, S. 338-344
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A Low Temperature Polycrystalline SiGe CMOS TFT Technology for Large Area AMLCD Drivers : Thin film transistor technologies
    Saraswat, K. C. ; Jurichich, S. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 96-23, S. 186-196
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Hydrogenation Effect of Heterostructured CMOS Thin-Film Transistors in Low Temperature (5̤50C̜) RTCVD Films : Thin film transistor technologies
    Lee, S. K. ; Choe, S. M. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 96-23, S. 358-365
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Hot electron lifetime of 0.8 m̆ CMOS transistors fabricated in SIMOX : Silicon-on-insulator technology and devices
    Jenkins, W. C. ; Liu, S. T.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, , S. 333-338
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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