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    Low Trapping Effects and High Blocking Voltage in Sub-Micron-Thick AlN/GaN Millimeter-Wave Transistors Grown by MBE on Silicon Substrate
    Carneiro, Elodie ; Rennesson, Stéphanie ; et al.
    In: Electronics, Jg. 12 (2023-07-01), Heft 13, S. 2974-2974
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record in DOAJ (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Studies from University of Waterloo Yield New Data on Vacuum Science and Technology (Observation of an Abrupt 3d-2d Morphological Transition In Thin Al Layers Grown By Mbe On Ingaas Surface)
    In: Electronics Newsweekly, 2024-05-14, S. 3102
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    High-performance LWIR MBE-grown HgCdTe/Si focal plane arrays
    BORNFREUND, Richard ; ROSBECK, Joe P ; et al.
    In: 2006 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, Jg. 36 (2007), Heft 8, S. 1085-1091
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Hall measurements of n-indium arsenide MBE-deposited layers: Relevance to device processing and applications
    WOLKENBERG, Andrzej
    In: Materials science in semiconductor processing, Jg. 18 (2014), S. 165-170
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Kinetically driven self-organization during hydrogen-assisted MBE growth on GaAs(110)
    CRESPILLO, M. L ; SACEDON, J. L ; et al.
    In: Low Dimensional Structures and Devices Conference, Jg. 36 (2005), Heft 3-6, S. 581-585
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    In-situ MBE Si as passivating interlayer on GaAs for HfO2MOSCAP's : effect of GaAs surface reconstruction
    WEBB, D. J ; FOMPEYRINE, J ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2142-2145
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Size dependence of hall mobility and dislocation density in Ge heteroepitaxial layers grown by MBE on a SiO2 patterned Si template
    LEE, Jooyoung ; CHANG, Mao-Nan ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 37 (2006), Heft 12, S. 1523-1527
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    High-quality large-area MBE HgCdTe/Si
    PETERSON, J. M ; FRANKLIN, J. A ; et al.
    In: 2005 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, Jg. 35 (2006), Heft 6, S. 1283-1286
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Comparative DC Characteristic Analysis of AlGaN/GaN HEMTs Grown on Si(111) and Sapphire Substrates by MBE
    MUKHOPADHYAY, Partha ; BAG, Ankush ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 43 (2014), Heft 4, S. 1263-1270
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A comparative study of metamorphic InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors (MHBTs) grown by gas and solid source molecular beam epitaxy (MBE)
    HONG, YANG ; RADHAKRISHNAN, K ; et al.
    In: ICMAT 2003: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies, Symposium H: Compound Semiconductors in Electronic and Optoelectronic Applications, Jg. 268 (2004), Heft 3-4, S. 410-414
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    MBE growth and processing of diluted nitride quantum well lasers on GaAs (111)B
    MIGUEL-SANCHEZ, J ; GUZMAN, A ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 37 (2006), Heft 12, S. 1442-1445
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Full-wafer spatial mapping of macrodefects on HgCdTe epitaxial wafers grown by MBE
    ROTH, John A ; NOSHO, Brett Z ; et al.
    In: 2005 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, Jg. 35 (2006), Heft 6, S. 1503-1508
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Buffer design for nitrogen polarity GaN on sapphire (0001) by RF-MBE and application to the nanostructure formation using KOH etching
    KATAYAMA, Ryuji ; ONABE, Kentaro
    In: Proceedings of the 12th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, MSS12, Albuquerque, NM, USA, 10-15 July 2005, Jg. 32 (2006), Heft 1-2, S. 245-248
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Molecular Dynamics Simulation of MBE Growth of CdTe/ZnTe/Si
    ZHENLI, ZHANG ; CHATTERJEE, Alok ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 40 (2011), Heft 2, S. 109-121
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Wavelet analysis of coarsening during unstable MBE growth
    MOKTADIR, Z ; KRAFT, M
    In: Low Dimensional Structures and Devices Conference, Jg. 36 (2005), Heft 3-6, S. 601-604
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Structure and magnetic properties of epitaxial ferrite film grown on MgO(001) by MBE
    KADO, Tetsuo
    In: Proceedings of the 8th European Vacuum Congress Berlin 2003, 23-26 June 2003, featuring the 8th European Vacuum Conference and 2nd Annual Conference of the German Vacuum Society, Jg. 459 (2004), Heft 1-2, S. 187-190
    Konferenz
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    In situ ellipsometry for control of Hg1-xCdxTe nanolayer structures and inhomogeneous layers during MBE growth
    SHVETS, V. A ; RYKHLITSKI, S. V ; et al.
    In: The 3rd International Conference on Spectroscopic Ellipsometry, Vienna, Austria, 6-11 July, 2003, Jg. 455-56 (2004), S. 688-694
    Konferenz
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    In situ angle-resolved photoemission study of MBE-grown (La, Ce)2CuO4 thin films
    YAMAMOTO, H ; NAITO, M ; et al.
    In: Advances in Superconductivity XVI. Part I, Jg. 412-14 (2004), S. 134-138
    Konferenz
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    Surface vs. volume stoichiometry of MBE grown CuInS2 films on Si
    CALVET, Wolfram ; LEWERENZ, Hans-Joachim ; et al.
    In: Proceedings of the Symposium B, Thin Film Chalcogenide Photovoltaic Materials, E-MRS Spring Meeting, Strasbourg, France, June 18-21, 2002, Jg. 431-32 (2003), S. 317-320
    Konferenz
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    Mechanism of germanium nanoinclusions formation in a silicon matrix during submonolayer MBE
    CIRLIN, G. E ; ZAKHAROV, N. D ; et al.
    In: Proceedings of Symposium J on Growth and Evolution of Ultra Thin Films: Surface and Interface Geometric & Electronic Structure, Jg. 428 (2003), Heft 1-2, S. 156-159
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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