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    Impact of Carriers Injection Level on Transients of Discrete and Paralleled Silicon and 4H-SiC NPN BJTs
    Shen, Chengjun ; Jahdi, Saeed ; et al.
    In: IEEE Open Journal of the Industrial Electronics Society, Jg. 3 (2022), S. 65-80
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record in DOAJ (Volltext)
    Volltext
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    Patent Issued for Device comprising a PNP bipolar transistor and NPN bipolar transistor for radiofrequency applications (USPTO 11955481)
    In: Electronics Newsweekly, 2024-04-30, S. 5804
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    On Pairing of Bipolar RRAM Memory With NPN Selector Based on Set/Reset Array Power Considerations
    MANDAPATI, R ; BORKAR, A ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 12 (2013), Heft 6, S. 1178-1184
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    2.4-CTHz Low-Noise Direct-Conversion Receiver With Deep N-Well Vertical-NPN BJT Operating Near Cutoff Frequency
    SYU, Jin-Siang ; CHINCHUN, MENG ; et al.
    In: IEEE transactions on microwave theory and techniques, Jg. 59 (2011), Heft 12, S. 3195-3205
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Close-in phase-noise enhanced voltage-controlled oscillator employing parasitic V-NPN transistor in CMOS process
    KU, Yeonwoo ; NAM, Ilku ; et al.
    In: IEEE transactions on microwave theory and techniques, Jg. 54 (2006), Heft 4, S. 1363-1369
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Sharing of SRAM tables among NPN-equivalent LUTs in SRAM-based FPGAs
    MEYER, Jason ; KOCAN, Fatih
    In: IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, Jg. 15 (2007), Heft 2, S. 182-195
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Patent Application Titled 'Method For Fabricating A Device Comprising A Pnp Bipolar Transistor And Npn Bipolar Transistor For Radiofrequency Applications' Published Online (USPTO 20230090291)
    In: Electronics Newsweekly, 2023-04-11, S. 5757
    Zeitungsartikel
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    A simple chaos-generator for neuron element utilizing capacitance-npn-transistor pair
    IRITA, T ; TSUJITA, T ; et al.
    In: Implementating intelligence on silicon integrated circuits _ Part II: New architectures and algorithms, Jg. 24 (1998), Heft 1-2, S. 43-61
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Error amplifier limitations in low voltage regulators using only NPN transistors
    BANWELL, T. C
    In: IEEE transactions on circuits and systems. 2, Analog and digital signal processing, Jg. 42 (1995), Heft 3, S. 220-224
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Nondestructive internal observation and distribution of potential with bias application of npn Si Darlington transistor chip using electron-acoustic microscopy
    TAKENOSHITA, H ; TABUCHI, M
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 32 (1993), Heft 5B, S. 2521-2524
    academicJournal
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    Physical modelling of the enhanced diffusion of boron due to ion implantation in thin-base npn bipolar transistors
    MOUIS, M ; GREGORY, H. J ; et al.
    In: Device modelling for the 1990s, Jg. 26 (1995), Heft 2-3, S. 255-259
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    APPLICATION OF REVERSE-ACTIVE NPNS FOR COMPACT, WIDE-TUNING F-INTEGRATION-BASED FILTERS IN SIGE HBT BICMOS TECHNOLOGY : IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS): May 23-26, 2005, International Conference Center, Kobe, Japan : conference proceedings
    Khumsat, P. ; Worapishet, A.
    In: IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS, Jg. 6 (2005), S. 5954-5957
    Konferenz
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    Noise behaviour of a PNP- and NPN-type SiGe HBT, a simulation study
    NEINHÜS, B ; JUNGEMANN, C ; et al.
    In: Noise in devices and circuits III (24-26 May 2005, Austin, Texas, USA), 2005, S. 150-157
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Investigating the differences in low-frequency noise behavior of npn and pnp SiGe HBTs fabricated in a complementary SiGe HBT BiCMOS on SOI technology
    ENHAI, ZHAO ; KRITHIVASAN, Ramkumar ; et al.
    In: Noise in devices and circuits III (24-26 May 2005, Austin, Texas, USA), 2005, S. 132-142
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    On the Feasibility of f~T-Integration Employing Reverse-Active Vertical npns : International conference on electronics, circuits and systems; ICECS 2001
    Khumsat, P. ; Worapishet, A. ; et al.
    In: IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONICS CIRCUITS AND SYSTEMS, Jg. 3 (2001), S. 1131-1134
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Influence of temperature and doping parameters on the performance of segmented anode NPN (SA-NPN) LIGBT
    GREEN, David W ; HARDIKAR, S ; et al.
    In: ISPSD '04 (proceedings of the 16th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs), 2004, S. 285-287
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    All NPN solid state power controller
    BALUCANI, M ; NENZI, P
    In: Signals and electronic systems (proceedings), 2005, S. 461-464
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    NPN transistor improvement by cumulative resist processing
    SZENDREL, Larry ; LEIBIGER, Steven ; et al.
    In: 2004 IEEE / SEMI advanced semiconductor manufacturing conference and workshop (Boston MA, May 4-6, 2004), 2004, S. 66-69
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A new test circuit for the matching characterization of npn bipolar transistors
    EINFELD, Jan ; SCHAPER, Ulrich ; et al.
    In: 2004 international conference on microelectronic test structures (March 22-25, 2004, S. 127-131
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    An advantage of Pnp over Npn AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors for microwave power applications
    LIU, W ; CHANGHONG, DAI
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 31 (1992), Heft 4B, S. L452- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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