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    Annealing behavior of MeV implanted carbon in silicon
    ISOMAE, S ; ISHIBA, T ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 74 (1993), Heft 6, S. 3815-3820
    Online academicJournal
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    Thermally stable, buried high-resistance layers in p-type InP obtained by MeV energy Ti implantation
    MARTIN, J. M ; NADELLA, R. K ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 73 (1993), Heft 11, S. 7238-7243
    Online academicJournal
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    Buried SiO2 layer formation in Si with an MeV O ion beam
    ELLINGBOE, S ; RIDGWAY, M. C ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 73 (1993), Heft 3, S. 1133-1138
    Online academicJournal
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    Use of MeV O+ ion implantation for isolation of GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar transistors
    PEARTON, S. J ; REN, F ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 71 (1992), Heft 10, S. 4949-4954
    Online academicJournal
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    Reduction of secondary defects in MeV ion-implanted silicon by means of ion beam defect engineering
    ZHONG-LIE, WANG ; BO-XU, ZHANG ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 71 (1992), Heft 8, S. 3780-3784
    Online academicJournal
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    Optical doping of waveguide materials by MeV Er implantation
    POLMAN, A ; JACOBSON, D. C ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 70 (1991), Heft 7, S. 3778-3784
    Online academicJournal
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    MeV Be implantation in GaAs
    RAO, M. V ; THOMPSON, P. E ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 67 (1990), Heft 10, S. 6165-6170
    Online academicJournal
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    Radiation damage behavior of LiNbO3 crystal by MeV F ion implantation
    BO-RONG, SHI ; KE-MING, WANG ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 74 (1993), Heft 3, S. 1625-1628
    Online academicJournal
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    Defects in MeV Si-implanted Si probed with positrons
    NIELSEN, B ; HOLLAND, O. W ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 74 (1993), Heft 3, S. 1636-1639
    Online academicJournal
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    The effects of 1 MeV electron irradiation on the current-voltage characteristics of Au/p-InP structures
    THOMAS, H ; LUO, J. K
    In: Journal of applied physics, Jg. 73 (1993), Heft 8, S. 3709-3715
    Online academicJournal
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    MeV energy Fe and Co implants to obtain buried high resistance layers and to compensate donor implant tails in InP
    VELLANKI, J ; NADELLA, R. K ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 73 (1993), Heft 3, S. 1126-1132
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Characterization of deep-level defects in GaAs irradiated by 1 MeV electrons
    LAI, S. T ; NENER, B. D ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 73 (1993), Heft 2, S. 640-647
    Online academicJournal
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    Generation of divacancies in silicon by MeV electrons : dose rate dependence and influence of Sn and P
    SVENSSON, B. G ; LENNART LINDSTRÖM, J
    In: Journal of applied physics, Jg. 72 (1992), Heft 12, S. 5616-5621
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Site transfer of Si in GaAs after heavy ion MeV implantation and annealing
    MOORE, F. G ; KLEIN, P. B ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 72 (1992), Heft 7, S. 2692-2699
    Online academicJournal
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    Reduction of crystalline disorder in molecular beam epitaxy GaAs on Si by MeV ion implantation and subsequent annealing
    GUANGMING, XIAO ; SHIDUAN, YIN ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 71 (1992), Heft 10, S. 4843-4847
    Online academicJournal
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    MeV B compensation implants into n-type GaAs and InP
    NADELLA, R. K ; VELLANKI, J ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 72 (1992), Heft 6, S. 2179-2184
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Lattice disorder in LiNbO3 crystals induced by MeV Cu+ implantation
    BO-RONG, SHI ; KE-MING, WANG ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 72 (1992), Heft 3, S. 899-903
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    InP tunnel metal-insulator-semiconductor devices irradiated with 1 MeV electrons
    SINGH, A ; REINHARDT, K. C ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 71 (1992), Heft 10, S. 4788-4794
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    Electrical activation of group-IV elements at MeV energies in InP
    RIDGWAY, M. C ; JAGADISH, C ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 71 (1992), Heft 4, S. 1708-1712
    Online academicJournal
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    The influence of ion flux on defect production in MeV proton-irradiated silicon
    HALLEN, A ; FENYO, D ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 70 (1991), Heft 6, S. 3025-3030
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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