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    A simple CMOS process compatible high performance parallel-stacked spiral inductor for advanced RF analog circuit applications
    CHEN, S. M ; FANG, Y. K ; et al.
    In: Materials science in semiconductor processing, Jg. 13 (2010), Heft 3, S. 189-192
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Pareto ANOVA analysis for CMOS 0.18 μm two-stage Op-amp
    SITI AMANIAH MOHD, CHACHULI ; PUTERI NOR AZNIE, FASYAR ; et al.
    In: Materials science in semiconductor processing, Jg. 24 (2014), S. 9-14
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Comparison of InGaAs MOSFETs with germanium-on-insulator CMOS
    CHIN, Albert ; CHEN, C ; et al.
    In: E-MRS 2006 Symposium T : Germanium based semiconductors from materials to devices, Jg. 9 (2006), Heft 4-5, S. 711-715
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Work function control at metal-oxide interfaces in CMOS
    TSE, K ; ROBERTSON, J
    In: E-MRS 2006 symposium L : Characterization of high-k dielectric materials, Jg. 9 (2006), Heft 6, S. 964-968
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Performance improvement of CMOS device utilizing poly-Si/HfSiON gate stack and its reliability concern for 65 nm technology and beyond
    KIMIZUKA, N ; YASUDA, Y ; et al.
    In: E-MRS 2006 symposium L : Characterization of high-k dielectric materials, Jg. 9 (2006), Heft 6, S. 860-869
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Challenges and opportunities in advanced Ge pMOSFETs
    SIMOEN, E ; MITARD, J ; et al.
    In: New Aspects of Si-and Ge-based Materials and Devices, Jg. 15 (2012), Heft 6, S. 588-600
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Precise determination of metal effective work function and fixed oxide charge in MOS capacitors with high-κ dielectric
    TAPAJNA, M ; HUSEKOVA, K ; et al.
    In: E-MRS 2006 symposium L : Characterization of high-k dielectric materials, Jg. 9 (2006), Heft 6, S. 969-974
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Characterization of rare earth oxides based MOSFET gate stacks prepared by metal-organic chemical vapour deposition
    FROHLICH, K ; LUPTAK, R ; et al.
    In: E-MRS 2006 symposium L : Characterization of high-k dielectric materials, Jg. 9 (2006), Heft 6, S. 1065-1072
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Electrochemical mechanism of layout-dependent corrosion of tungsten in contact plugs
    HUNGLIN, CHEN ; RONGWEI, FAN ; et al.
    In: Materials science in semiconductor processing, Jg. 20 (2014), S. 17-22
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Structural and vibrational properties of high-dielectric oxides, HfO2 and TiO2 : A comparative study
    DEBERNARDI, A ; FANCIULLI, M
    In: E-MRS 2006 symposium L : Characterization of high-k dielectric materials, Jg. 9 (2006), Heft 6, S. 1014-1019
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Modeling of the Stark effect in strained Ge0.6Si0.4/Si /Ge0.6Si0.4 resonant tunneling diodes with graded GexSi1-x (0.3<x<0) spacer emitter and collector
    SFINA, N ; ABDI-BEN NASRALLAH, S ; et al.
    In: E-MRS 2006 Symposium T : Germanium based semiconductors from materials to devices, Jg. 9 (2006), Heft 4-5, S. 737-740
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigation of high-K gate stacks with epitaxial Gd2O3 and FUSI NiSi metal gates down to CET = 0.86 nm
    GOTTLOB, H. D. B ; ECHTERMEYER, T ; et al.
    In: E-MRS 2006 symposium L : Characterization of high-k dielectric materials, Jg. 9 (2006), Heft 6, S. 904-908
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Impact of germanium surface passivation on the leakage current of shallow planar p-n junctions
    SATTA, A ; NICHOLAS, G ; et al.
    In: E-MRS 2006 Symposium T : Germanium based semiconductors from materials to devices, Jg. 9 (2006), Heft 4-5, S. 716-720
    Konferenz
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    Germanium-on-insulator (GeOI) substrates : A novel engineered substrate for future high performance devices
    AKATSU, Takeshi ; DEGUET, Chrystel ; et al.
    In: E-MRS 2006 Symposium T : Germanium based semiconductors from materials to devices, Jg. 9 (2006), Heft 4-5, S. 444-448
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Ab initio study of point defects in dielectrics based on Pr oxides
    DABROWSKI, J ; FLESZAR, A ; et al.
    In: E-MRS 2006 symposium L : Characterization of high-k dielectric materials, Jg. 9 (2006), Heft 6, S. 897-903
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A deep-level transient spectroscopy study of Co-and Ni-germanided n-type germanium
    OPSOMER, K ; SIMOEN, E ; et al.
    In: E-MRS 2006 Symposium T : Germanium based semiconductors from materials to devices, Jg. 9 (2006), Heft 4-5, S. 554-558
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Polysilicon thin-film transistors on polymer substrates
    FORTUNATO, Guglielmo ; PECORA, Alessandro ; et al.
    In: New Aspects of Si-and Ge-based Materials and Devices, Jg. 15 (2012), Heft 6, S. 627-641
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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