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    Gate oxide properties investigated by TOF-SIMS profiles on CMOS devices
    ZANDERIGO, F ; BRAZZELLI, D ; et al.
    In: Secondary Ion Mass Spectrometry SIMS XIII: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry and Related Topics Nara-Ken New Public Hall, Jg. 203-04 (2003), S. 437-440
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Strain induced by Ti salicidation in sub-quarter-micron CMOS devices, as measured by TEM/CBED
    BENEDETTI, A ; CULLIS, A. G ; et al.
    In: Proceedings of the European Materials Research Society 2001-Symposium M Stress and Strain in Heteroepitaxy, Jg. 188 (2002), Heft 1-2, S. 214-218
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characterisation of polysilicon gate microstructures for 0.5 μm CMOS devices using transmission electron microscopy and atomic force microscopy images
    AHMAD, Ibrahim ; OMAR, Abdullah ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 191 (2002), Heft 1-4, S. 362-367
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ultra-shallow, super-doped and box-like junctions realized by laser-induced doping
    KERRIEN, G ; BOULMER, J ; et al.
    In: Proceedings of the European Materials Research Society 2001 - symposium L Photon-induced surface processing, Strasbourg, France, June 5-8, Jg. 186 (2002), Heft 1-4, S. 45-51
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Application and simulation of low temperature plasma processes in semiconductor manufacturing
    VENTZEK, P. L. G ; RAUF, S ; et al.
    In: Advances in low temperature rf plasmas. Basis for process design, Jg. 192 (2002), Heft 1-4, S. 201-215
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A novel laser trimming technique for microelectronics
    MEUNIER, M ; GAGNON, Y ; et al.
    In: Proceedings of the European Materials Research Society 2001 - symposium L Photon-induced surface processing, Strasbourg, France, June 5-8, Jg. 186 (2002), Heft 1-4, S. 52-56
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Future trends in high-resolution lithography
    LAWES, R. A
    In: ICPEPA-3: Proceedings of Symposium A on Photo-Excited Processes, Diagnostics and Applications of the 1999 E-MRS Spring Conference, Strasbourg, France, June 1-4, Jg. 154-55 (2000), S. 519-526
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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