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    Characterization of 4 K CMOS devices and circuits for hybrid Josephson-CMOS systems
    YOSHIKAWA, N ; TOMIDA, T ; et al.
    In: The 2004 Applied Superconductivity Conference, Jacksonville, FL, USA, October 3-8, Jg. 15 (2005), Heft 2, S. 267-271
    Online Konferenz
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    Volltext
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    A defect-based compact modeling approach for the reliability of CMOS devices and integrated circuits
    ESQUEDA, Ivan S ; BARNABY, Hugh J
    In: Solid-state electronics, Jg. 91 (2014), S. 81-86
    academicJournal
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    Low-voltage topologies for 40-Gb/s circuits in nanoscale CMOS
    CHALVATZIS, Theodoros ; YAU, Kenneth H. K ; et al.
    In: ESSCIRC 2006, Jg. 42 (2007), Heft 7, S. 1564-1573
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Fin-height controlled TiN-gate FinFET CMOS based on experimental mobility
    LIU, Y. X ; MATSUKAWA, T ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2101-2104
    Konferenz
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    CMOS smart sensor for monitoring the quality of perishables
    UENO, Ken ; HIROSE, Tetsuya ; et al.
    In: 2006 Symposium on VLSI circuits, Jg. 42 (2007), Heft 4, S. 798-803
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    Vertical integrated-gate CMOS for ultra-dense IC
    YIJIAN, CHEN ; CHU, Albert
    In: Proceedings of the 31st International Conference on Micro- and Nano-Engineering: 19-22 September 2005, Vienna, Austria, Jg. 83 (2006), Heft 4-9, S. 1745-1748
    Konferenz
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    Ring oscillators for CMOS process tuning and variability control
    BHUSHAN, Manjul ; GATTIKER, Anne ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 19 (2006), Heft 1, S. 10-18
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    MOSFET modeling for design of ultra-high performance infrared CMOS imagers working at cryogenic temperatures: Case of an analog/digital 0.18 μm CMOS process
    MARTIN, P ; ROYET, A. S ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 62 (2011), Heft 1, S. 115-122
    academicJournal
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    Finfets for nanoscale cmos digital integrated circuits
    KING, Tsu-Jae
    In: ICCAD-2005 (International Conference on Computer Aided Design), 2005, S. 207-210
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Materials and device structures for sub-32 nm CMOS nodes
    SKOTNICKI, Thomas
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 1845-1852
    Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Optimum design method of CMOS IC for DC-DC converter that integrates power stage MOSFETs
    KATAYAMA, Yasushi ; EDO, Masaharu ; et al.
    In: PESC'04 (2004 IEEE 35th annual power electronics specialists conference), 2004, S. 4486-4491
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A fully integrated CMOS and high voltage compatible RF MEMS technology
    LINGPENG, GUAN ; SIN, Johnny K. O ; et al.
    In: IEEE International Electron Devices Meeting 2004 (IEDM technical digest), 2004, S. 35-38
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    0.8 V ultra low-power CMOS analog multiplexer for remote biological and chemical signal processing
    CHUANG, ZHANG ; SRIVASTAVA, Ashok ; et al.
    In: Smart electronics, MEMS, bioMEMS, and nanotechnology (San Diego CA, 15-18 March 2004), 2004, S. 13-19
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Work function tuning of metal nitride electrodes for advanced CMOS devices
    REN, C ; FAIZHAL, B. B ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium H: Silicon microelectronics: processing to packaging, Singapore, July 3-8, Jg. 504 (2006), Heft 1-2, S. 174-177
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    The invariance of characteristic current densities in nanoscale MOSFETs and its impact on algorithmic design methodologies and design porting of Si(Ge) (Bi)CMOS high-speed building blocks
    DICKSON, Timothy O ; YAU, Kenneth H. K ; et al.
    In: 2005 Custom Integrated Circuits Conference, Jg. 41 (2006), Heft 8, S. 1830-1845
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Doubling speed using strained Si/SiGe CMOS technology
    OLSEN, Sarah H ; TEMPLE, Matthew ; et al.
    In: Proceedings of the Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), Awaji Island, Hyogo, Japan, Jg. 508 (2006), Heft 1-2, S. 338-341
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    CMOS integration of epitaxial Gd2O3 high-k gate dielectrics
    GOTTLOB, H. D. B ; ECHTERMEYER, T ; et al.
    In: ISDRS 2005, Jg. 50 (2006), Heft 6, S. 979-985
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Active Terahertz Imaging Using Schottky Diodes in CMOS: Array and 860-GHz Pixel
    HAN, Ruonan ; YAMING, ZHANG ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 48 (2013), Heft 10, S. 2296-2308
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Fixed-Pattern-Noise Correction for an Integrating Wide-Dynamic-Range CMOS Image Sensor
    DAS, Dipayan ; COLLINS, Steve
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 1, S. 314-319
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Engineering buried oxide in dopant-segregated Schottky barrier SOI MOSFET for nanoscale CMOS circuits
    PATIL, Ganesh C ; QURESHI, S
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 53 (2013), Heft 3, S. 349-355
    academicJournal
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