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    academicJournal
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    CDM tests on interface test chips for the verification of ESD protection concepts : EOS/ESD; Electrostatic discharge reliability
    Brodbeck, T. ; Esmark, K. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 49 (2009), Heft 12, S. 1470-1475
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of the transient behavior of gated/STI diodes and their associated BJT in the CDM time domain : EOS/ESD; Electrostatic discharge reliability
    Manouvrier, J. R. ; Fonteneau, P. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 49 (2009), Heft 12, S. 1424-1432
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigating the CDM susceptibility of IC's at package and wafer level by capacitive coupled TLP : EOS/ESD; Electrostatic discharge reliability
    Wolf, H. ; Gieser, H. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 49 (2009), Heft 12, S. 1476-1481
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Study of CDM specific effects for a smart power input protection structure : EOS/ESD symposium
    Etherton, M. ; Qu, N. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 46 (2006), Heft 5/6, S. 666-676
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Process influence on product CDM ESD performance : Electrical overstress / electrostatic discharge; EOS/ESD
    Lisenker, B.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 43 (2003), Heft NO 7, S. 1029-1038
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The importance of standardizing CDM ESD test head parameters to obtain data correlation : Electrical overstress / electrostatic discharge
    Henry, L. G. ; Kelly, M. A. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 41 (2001), Heft 11, S. 1789-1800
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Failure analysis on 14 nm FinFET devices with ESD CDM failure
    Mai, Zhihong ; Pik Kee Tan ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, 2018-09-01, S. 321-333
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Investigation into socketed CDM (SDM) tester parasitics : Electrical overstress, electrostatic discharge and current issues in metal migration
    Chaine, M. ; Verhaege, K. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 39, Heft 11, S. 1531-1540
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Design optimization of SiGe BiCMOS Silicon Controlled Rectifier for Charged Device Model (CDM) protection applications
    Cui, Qiang ; Liou, Juin J. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 54 (2014), S. 57-63
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Investigation on CDM ESD events at core circuits in a 65-nm CMOS process
    Tang Long Chang ; Lin, Chun-Yu ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 52 (2012-11-01), S. 2627-2631
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Inventory of silicon signatures induced by CDM event on deep sub-micronic CMOS–BICMOS technologies
    Beltritti, J. ; Galy, Philippe ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 50 (2010-09-01), S. 1388-1392
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    CDM tests on interface test chips for the verification of ESD protection concepts
    Esmark, Kai ; Brodbeck, T. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 49 (2009-12-01), S. 1470-1475
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Verification of CDM circuit simulation using an ESD evaluation circuit
    Etherton, M. ; Mettler, S. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 47 (2007-07-01), S. 1036-1043
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Capacitively coupled transmission line pulsing cc-TLP––a traceable and reproducible stress method in the CDM-domain
    Wolf, Heinrich ; Gieser, Horst ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 45 (2005-02-01), S. 279-285
    Online unknown
    Zugriff:
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    Implementation of diode and bipolar triggered SCRs for CDM robust ESD protection in 90nm CMOS ASICs
    Gauthier, Robert J. ; Chatty, Kiran V. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 47 (2007-07-01), S. 1030-1035
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Role of package parasitics and substrate resistance on the Charged Device Model (CDM) failure levels –An explanation and die protection strategy
    Kuper, Fred G. ; Sowariraj, M.S.B. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 43 (2003-09-01), S. 1569-1575
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    The importance of standardizing CDM ESD test head parameters to obtain data correlation
    Kelly, M. ; Diep, T. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 41 (2001-11-01), S. 1789-1800
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Investigation into socketed CDM (SDM) tester parasitics
    Kelly, M. ; Gieser, Horst ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 39 (1999-11-01), S. 1531-1540
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Simulation study for the CDM ESD behaviour of the grounded-gate nmos
    Maes, Herman ; Bock, Karlheinz ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 36 (1996-11-01), S. 1739-1742
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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