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    ESD-induced oxide breakdown on self-protecting GG-nMOSFET in 0.1-μm CMOS technology
    SALMAN, Akram A ; GAUTHIER, Robert ; et al.
    In: IEEE transactions on device and materials reliability, Jg. 3 (2003), Heft 3, S. 79-84
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    NMOSFET ESD self-protection strategy and underlying failure mechanism in advanced 0.13-μm CMOS technology
    SALMAN, Akram ; GAUTHIER, Robert ; et al.
    In: IEEE transactions on device and materials reliability, Jg. 2 (2002), Heft 1, S. 2-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Hot carrier degradation and ESD in submicrometer CMOS technologies: How do they interact?
    GROESENEKEN, Guido V
    In: IEEE transactions on device and materials reliability, Jg. 1 (2001), Heft 1, S. 23-32
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    The Impact of Drift Implant and Layout Parameters on ESD Robustness for On-Chip ESD Protection Devices in 40-V CMOS Technology
    Ker, Ming-Dou ; Chang, Wei-Jen
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 7 (2007-06-01), S. 324-332
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Impact of Scaling on the High Current Behavior of RF CMOS Technology
    Reddy, Vijay ; Boselli, Gianluca ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 4 (2004-09-01), S. 542-548
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Investigation of the gate-driven effect and substrate-triggered effect on ESD robustness of CMOS devices
    Ker, Ming-Dou ; Chen, Tung-Yang
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 1 (2001), S. 190-203
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    NMOSFET ESD self-protection strategy and underlying failure mechanism in advanced 0.13-μm CMOS technology
    Salman, Akram A. ; Putnam, Christopher S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 2 (2002-03-01), S. 2-8
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Hot carrier degradation and ESD in submicrometer CMOS technologies: how do they interact?
    Groeseneken, Guido
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 1 (2001-03-01), S. 23-32
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Impact of Inner Pickup on ESD Robustness of Multifinger MOSFET in 28-nm High- <tex-math notation='LaTeX'>$k$</tex-math>/Metal Gate CMOS Process
    Chang, Rong-Kun ; Lin, Chun-Yu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 15 (2015-12-01), S. 633-636
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Area-Efficient On-Chip Transient Detection Circuit for System-Level ESD Protection Against Transient-Induced Malfunction
    Ker, Ming-Dou ; Chen, Wen-Chieh
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 19 (2019-06-01), S. 363-369
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A Novel Cascade-Free 5-V ESD Clamp Using I-MOS: Proposal and Analysis
    M. Jagadesh Kumar ; Sithanandam, Radhakrishnan
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 16 (2016-06-01), S. 200-207
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Active ESD Protection Design for Interface Circuits Between Separated Power Domains Against Cross-Power-Domain ESD Stresses
    Ker, Ming-Dou ; Chen, Shih-Hung ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 8 (2008-09-01), S. 549-560
    Online unknown
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    Electrical-Based ESD Characterization of Ultrathin-Body SOI MOSFETs
    Scholz, Mirko ; Russ, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 10 (2010-03-01), S. 130-141
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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