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    Strained SOI/SGOI dual-channel CMOS technology based on the ge condensation technique
    TEZUKA, Tsutomu ; NAKAHARAI, Shu ; et al.
    In: 3rd International SiGe Technology and Device Meeting (Princeton, New Jersey, 15-17 May 2006), Jg. 22 (2007), Heft 1
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Effects of Substrate Orientation and Channel Stress on Short-Channel Thin SOI MOSFETs
    MAJUMDAR, Amian ; OUYANG, Christine ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 9, S. 2067-2072
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Improved device variability in scaled MOSFETs with deeply retrograde channel profile : RELIABILITY AND VARIABILITY OF DEVICES FOR CIRCUITS AND SYSTEMS
    WOO, Jason ; CHIEN, P. Y ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 6-7, S. 1090-1095
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Work Function Engineering With Linearly Graded Binary Metal Alloy Gate Electrode for Short-Channel SOI MOSFET
    DEB, Sanjoy ; BASANTA SINGH, N ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 11 (2012), Heft 3, S. 472-478
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Dynamic performance of graded channel DG FD SOI n-MOSFETs for minimizing the gate misalignment effect
    RUPENDRA KUMAR, SHARMA ; GUPTA, Ritesh ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 49 (2009), Heft 7, S. 699-706
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A novel source/drain on void (SDOV) MOSFET implemented by local co-implantation of hydrogen and helium
    DAKE, WU ; RU, HUANG ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 85 (2008), Heft 7, S. 1490-1494
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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