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    CMOS radiation sensor with binary output
    MORENO, E. G ; INIGUEZ, B ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 42 (1995), Heft 3, S. 174-178
    Online academicJournal
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    Temperature-dependent dose rate effects in CMOS/SOS devices
    SEIDLER, W ; WALTERS, D ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 41 (1994), Heft 5, S. 1770-1779
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A CMOS peak detect sample and hold circuit
    KRUISKAMP, M. W ; LEENAERTS, D. M. W
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 41 (1994), Heft 1, S. 295-298
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    ICON, a current mode preamplifier in CMOS technology for use with high rate particle detectors
    ANGHINOLFI, F ; ASPELL, P ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 40 (1993), Heft 3, S. 271-274
    Online academicJournal
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    Simulated SEU hardened scaled CMOS SRAM cell design using gated resistors
    ROCKETT, L. R
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 39 (1992), Heft 5, S. 1532-1541
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A circuit design for the improvement of radiation hardness in CMOS digital circuits
    CHAO-CHENG, CHEN ; SOW-CHANG, LIU ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 39 (1992), Heft 2, S. 272-277
    Online academicJournal
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    Volltext
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    MTD132―A new sub-nanosecond multi-hit CMOS time-to-digital converter
    KLEINFELDER, S ; MAJORS, T. J ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 38 (1991), Heft 2, S. 97-101
    Online academicJournal
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    Analog-to-digital conversion ising custom CMOS analog memory for the EOS time projection chamber
    LEE, K. L ; ARTHUR, A. A ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 38 (1991), Heft 2, S. 344-347
    Online academicJournal
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    Measurement of proton induced radiation damage to CMOS transistors and pin diodes
    ZIOCK, H. J ; HOFFMAN, C. M ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 37 (1990), Heft 3, S. 1238-1241
    Online academicJournal
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    Comparison of photocurrent enhancement and upset enhancement in CMOS devices in a medium-energy X-ray environment
    BEUTLER, D. E ; BEEZHOLD, W ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 37 (1990), Heft 4, S. 1541-1547
    Online academicJournal
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    Radiation-tolerant 50 MHz bulk CMOS VLSI circuits utilizing radiation-hard structure NMOS transistors
    HATANO, H ; TAKATSUKA, S
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 33 (1986), Heft 5, S. 1126-1130
    Online academicJournal
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    An improved single event resistive-hardening technique for CMOS static RAMS
    JOHNSON, R. L. JR ; DIEHL, S. E
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 33 (1986), Heft 6, S. 1730-1733
    Online academicJournal
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    Volltext
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    CMOS shift register circuits for radiation-tolerant VLSI's
    HATANO, H ; SAKAUE, K ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 31 (1984), Heft 5, S. 1034-1038
    Online academicJournal
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    Laser simulation of single-event upset in a p-well CMOS counter
    MAZER, J. A ; KANG, K ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 36 (1989), Heft 1, S. 1330-1332
    Online academicJournal
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    Numerical simulation of single event latchup in the temperature range of 77-450 K
    IWATA, H ; OHZONE, T
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 42 (1995), Heft 3, S. 148-154
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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xs 0 - 576
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