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    A 0.8 V 0.23 nW 1.5 ns Full-Swing Pass-Transistor XOR Gate in 130 nm CMOS.
    Ahmad, Nabihah ; Hasan, Rezaul
    In: Active & Passive Electronic Components, 2013, S. 1-6
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    A 0.6-V to 1-V Audio ΔΣ Modulator in 65 nm CMOS with 90.2 dB SNDR at 0.6-V.
    Liu, Liyuan ; Li, Dongmei ; et al.
    In: VLSI Design, 2013, S. 1-9
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Low power quadrature voltage controlled oscillator.
    Jin, Jie ; Tan, Mingtao
    In: International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering, Jg. 29 (2019-12-01), Heft 12, S. N.PAG
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Bandwidth Extension of High Compliance Current Mirror by Using Compensation Methods.
    Gupta, Maneesha ; Singh, Urvashi ; et al.
    In: Active & Passive Electronic Components, 2014, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Design and Performance Analysis of 1-Bit FinFET Full Adder Cells for Subthreshold Region at 16 nm Process Technology.
    Abdul Tahrim, ‘Aqilah binti ; Chin, Huei Chaeng ; et al.
    In: Journal of Nanomaterials, Jg. 2015 (2015-04-20), S. 1-13
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Reduction of Power Dissipation in Dynamic BiCMOS Logic Gates by Transistor Reordering.
    Hasan, S.M. Rezaul ; Wahab, Yufridin
    In: VLSI Design, Jg. 15 (2002-10-01), Heft 2, S. 547-553
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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