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    CLM effect for 28nm stacked HK nmosfets after DPN treatment with different annealing temperatures
    Wang, Shea-Jue ; Li, Chao-Wang ; et al.
    In: 2014 International Symposium on Next-Generation Electronics (ISNE), 2014-05-01, S. 1-4
    Konferenz
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    Steady-State Mean-Square Deviation Analysis of the Zero-Attracting CLMS Algorithm With Circular Gaussian Input
    Wu, Y. ; Ni, J.
    In: IEEE Access, Jg. 7 (2019), S. 52331-52338
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Design, simulation and hardware validation of a low-cost CLMS echo canceling system
    Prieto, Pablo ; Sanchez, Mikel ; et al.
    In: 2009 Joint IEEE North-East Workshop on Circuits and Systems and TAISA Conference, 2009-06-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The European Ground Motion Service EGMS - Processing Central Europe with First Results on Quality and Point Densities
    Siegmund, Robert ; Brcic, Ramon ; et al.
    In: IGARSS 2022 - 2022 IEEE International Geoscience and Remote Sensing Symposium, 2022-07-17, S. 5105-5108
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Augmentation and Assessment of a Universal FET ${I}$ – ${V}$ Model for Simulating GaN HEMTs
    Dasari, P. ; Bhattacharya, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-03-01), Heft 3, S. 847-854
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Modeling of Short-Channel Effects in GaN HEMTs
    Allaei, M. ; Shalchian, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 3088-3094
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    DIBL–Compensated Extraction of the Channel Length Modulation Coefficient in MOSFETs
    Hiblot, G.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-09-01), Heft 9, S. 4015-4018
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Modeling the Impact of the High-Field Region on the $C-V$ Characteristics in GaN HEMTs
    Hodges, J. ; Albahrani, S.A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-11-01), Heft 11, S. 4679-4684
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    FCLMS: Fractional complex LMS algorithm for complex system identification
    Ahmad, Jawwad ; Khan, Shujaat ; et al.
    In: 2017 IEEE 13th International Colloquium on Signal Processing & its Applications (CSPA), 2017-03-01, S. 39-43
    Konferenz
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    High-Voltage LDMOS Transistor With Split-Gate Structure for Improved Electrical Performance
    Na, K. Y. ; Baek, K. J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-10-01), Heft 10, S. 3515-3520
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    N-Channel Dual-Workfunction-Gate MOSFET for Analog Circuit Applications
    Na, K. Y. ; Baek, K. J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 12, S. 3273-3279
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Improving Light Extraction Efficiency of GaN-Based LEDs by Al$_{\bm x}$Ga$_{{\bf 1}{\bm -}{\bm x}}$N Confining Layer and Embedded Photonic Crystals
    Gao, H. ; Li, K. ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 18 (2012-11-01), Heft 6, S. 1650-1660
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Physical Understanding of RF Noise in Bulk nMOSFETs With Channel Lengths in the Nanometer Regime
    Mahajan, V. M. ; Patalay, P. R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 197-205
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Thin-BOX Poly-Si Thin-Film Transistors for CMOS-Compatible Analog Operations
    Kim, S. Y. ; Baytok, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-06-01), Heft 6, S. 1687-1695
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Numerical investigation of excess RF channel noise in sub-100 nm MOSFETs
    Mahajan, Vinayak M. ; Jindal, R. P. ; et al.
    In: 2009 2nd International Workshop on Electron Devices and Semiconductor Technology, 2009-06-01, S. 1
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Improved Body Effect and Analog Characteristics of n-Channel MOSFET With Lateral Asymmetric Substrate Doping
    Na, K. ; Baek, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-07-01), Heft 7, S. 2250-2250
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Continuum of Bound States in a Non-Hermitian Model
    Chong, Y. D. ; Wang, Q. ; et al.
    In: 2023 Photonics & Electromagnetics Research Symposium (PIERS), 2023-07-03, S. 1619-1621
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Research on Real-Time Model of Turboshaft Engine with Surge Process
    Zhang, Xinglong ; Li, Lingwei ; et al.
    In: 2021 Global Reliability and Prognostics and Health Management (PHM-Nanjing), 2021-10-15, S. 1-8
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    An Equivalent Circuit Model of Passively Mode-Locked Hybrid Silicon Laser
    Shekarpour, M. ; Yavari, M.H.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 34 (2022-06-01), Heft 11, S. 595-598
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A Novel Hybrid Deep Neural Network Prediction Model for Shield Tunneling Machine Thrust
    Chen, C. ; Wu, B. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 10 (2022), S. 123858-123873
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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