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    Ultracompact ESD Protection With BIMOS-Merged Dual Back-to-Back SCR in Hybrid Bulk 28-nm FD-SOI Advanced CMOS Technology
    Marin-Cudraz, D. ; Legrand, Charles-Alexandre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), S. 3991-3997
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    Investigation of Unexpected Latchup Path Between HV-LDMOS and LV-CMOS in a 0.25- $\mu \text{m}$ 60-V/5-V BCD Technology
    Dai, Chia-Tsen ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-08-01), S. 3519-3523
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    A CMOS MEMS Thermal Flow Sensor for Gas and Liquid With Parylene-C Coating
    Xu, Wei ; Mousa, Basant ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), S. 919-922
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    Noise Margin, Delay, and Power Model for Pseudo-CMOS TFT Logic Circuits
    Zhao, Jiaqing ; Liu, Yongpan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-06-01), S. 2635-2642
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    Freeform Compliant CMOS Electronic Systems for Internet of Everything Applications
    Nassar, Joanna M. ; Muhammad Mustafa Hussain ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-05-01), S. 1894-1905
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    Comparison of Logic Performance of CMOS Circuits Implemented With Junctionless and Inversion-Mode FinFETs
    Guin, Shilpi ; Sil, Monali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-03-01), S. 953-959
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    Device and Circuit Performance of the Future Hybrid III–V and Ge-Based CMOS Technology
    Benbakhti, Brahim ; Soltani, Ali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-10-01), S. 3893-3899
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    Chord-Fractal Capacitor in CMOS Technology
    Chien, Chun-Tsai ; Hsu, Heng-Ming
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), S. 4642-4646
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    Voltage Mode FPN Calibration in the Logarithmic CMOS Imager
    Ewerton Gomes de Oliveira ; Luciano Lourenco Furtado da Silva ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-08-01), S. 2528-2534
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    Optimum pMOS-to-nMOS Width Ratio for Efficient Subthreshold CMOS Circuits
    Shams, Maitham ; Nabavi, Morteza ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-03-01), S. 916-924
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    Recent Developments and Design Challenges of High-Performance Ring Oscillator CMOS Time-to-Digital Converters
    Cheng, Zeng ; Zheng, Xiaoqing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), S. 235-251
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    Diffusion and Gate Replacement: A New Gate-First High- <tex-math notation='LaTeX'>$k$ </tex-math>/Metal Gate CMOS Integration Scheme Suppressing Gate Height Asymmetry
    Schram, Tom ; Ritzenthaler, Romain ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), S. 265-271
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    Optimization of CMOS-ISFET-Based Biomolecular Sensing: Analysis and Demonstration in DNA Detection
    Xu, Guangyu ; Abbott, Jeffrey ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, S. 1-8
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    Self-Heat Characterizations and Modeling of Multifinger nMOSFETs for RF-CMOS Applications
    Kobayashi, Haruo ; Aoki, Hitoshi
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-09-01), S. 2704-2709
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    Analysis and Equivalent-Circuit Model for CMOS On-Chip Multiple Coupled Inductors in the Millimeter-Wave Region
    Yin, Wen-Yan ; Sun, Lingling ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-12-01), S. 3957-3964
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    Part II: A Fully Integrated RF PA in 28-nm CMOS With Device Design for Optimized Performance and ESD Robustness
    Gossner, Harald ; V. Ramgopal Rao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-10-01), S. 3176-3183
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    Design of ESD Protection Device for <tex-math notation='LaTeX'>$K\!/\!Ka$ </tex-math> -Band Applications in Nanoscale CMOS Process
    Lin, Chun-Yu ; Chang, Rong-Kun
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-09-01), S. 2824-2829
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    Physically Based Predictive Model for Single Event Transients in CMOS Gates
    Privat, A. ; Saremi, Mehdi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-06-01), S. 2248-2254
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    A New High-Density Twin-Gate Isolation One-Time Programmable Memory Cell in Pure 28-nm CMOS Logic Process
    Tsai, Wu-Chin ; Chrong Jung Lin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015), S. 121-127
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    An 8T Low-Voltage and Low-Leakage Half-Selection Disturb-Free SRAM Using Bulk-CMOS and FinFETs
    Sied Mehdi Fakhraie ; Pasandi, Ghasem
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-07-01), S. 2357-2363
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