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    Radiation-Hardened CMOS Negative Voltage Reference for Aerospace Application
    Hu, Shengdong ; Lin, Zhi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-09-01), S. 2505-2510
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    CMOS Rad-Hard Front-End Electronics for Precise Sensors Measurements
    Pinero-Garcia, B. ; Espejo-Meana, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-01), S. 2379-2389
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    Single-Event Performance of Sense-Amplifier Based Flip-Flop Design in a 16-nm Bulk FinFET CMOS Process
    Assis, T. R. ; Zhang, Hangfang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), S. 477-482
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    Characterization of Single-Event Transient Pulse Quenching among Dummy Gate Isolated Logic Nodes in 65 nm Twin-Well and Triple-Well CMOS Technologies
    Yaqing, Chi ; Shuming, Chen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-10-01), S. 2302-2309
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    A 32 kb Macro with 8T Soft Error Robust, SRAM Cell in 65-nm CMOS
    Jaspal Singh Shah ; Sachdev, Manoj ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-06-01), S. 1367-1374
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    Total-Ionizing-Dose Induced Timing Window Violations in CMOS Microcontrollers
    Herbison, Daniel ; Sierawski, Brian D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), S. 2979-2984
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    Design of 65 nm CMOS SRAM for Space Applications: A Comparative Study
    Emeliyanov, Vladimir V. ; Boruzdina, Anna B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), S. 1575-1582
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    SET Tolerance of 65 nm CMOS Majority Voters: A Comparative Study
    Gorbunov, Maxim S. ; Antonov, Andrey A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), S. 1597-1602
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    Radiation-Hardening Technique for Voltage Reference Circuit in a Standard 130 nm CMOS Technology
    Deval, Yann ; Morche, Colette ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-04-01), S. 967-974
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    Single-Event Transient Modeling in a 65-nm Bulk CMOS Technology Based on Multi-Physical Approach and Electrical Simulations
    Artola, Laurent ; Hubert, Guillaume
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), S. 4421-4429
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    Experimental Soft Error Rate of Several Flip-Flop Designs Representative of Production Chip in 32 nm CMOS Technology
    Soussan, Dimitri ; Roche, Philippe ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), S. 4226-4231
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    New D-Flip-Flop Design in 65 nm CMOS for Improved SEU and Low Power Overhead at System Level
    Autran, Jean-Luc ; Roche, Philippe ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), S. 4381-4386
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    Front end Electronics for SLHC Semiconductor Trackers in CMOS 90 nm and 130 nm Processes
    Kaplon, J. ; Noy, Matthew
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-08-01), S. 1611-1620
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    SET Characterization and Mitigation in 65-nm CMOS Test Structures
    Won, Raymond ; Tien, Jonathan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-08-01), S. 851-859
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    A High Load Current, Low-Noise, Area-Efficient, Full On-Chip Regulator for CMOS Pixel Sensors
    Wang, Jia ; Hu, Yann ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-06-01), S. 582-588
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    Investigation of Low Dose Rate and Bias Conditions on the Total Dose Tolerance of a CMOS Flash-Based FPGA
    Nguyen, V. ; McCollum, John L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-02-01), S. 134-143
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    Single Event Transients in Digital CMOS—A Review
    Ferlet-Cavrois, V. ; Massengill, Lloyd W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-06-01), S. 1767-1790
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    Heavy Ion Characterization and Monte Carlo Simulation on 32 nm CMOS Bulk Technology
    Uznanski, S. ; Autran, J.L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), S. 2652-2657
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    Novel Soft Error Robust Flip-Flops in 65nm CMOS
    Sachdev, Manoj ; Rennie, David
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-10-01), S. 2470-2476
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    Worst-Case Test Vectors for Logic Faults Induced by Total Dose in ASICs Using CMOS Processes Exhibiting Field-Oxide Leakage
    Abou-Auf, A. A. ; Wassal, Amr G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-01), S. 1047-1052
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