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    The Impact of LCE and PAMDLE Regarding Different CMOS ICs Nodes and High Temperatures
    Salvador Pinillos Gimenez ; Renaux, Christian ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 415-423
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    Performance and reliability degradation of CMOS Image Sensors in Back-Side Illuminated configuration
    Irrera, Fernanda ; Russo, Felice ; et al.
    2020
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    Large-scale CMOS-compatible process for silicon nanowires growth and BC8 phase formation
    Quaranta, S. ; Irrera, Fernanda ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 186 (2021-12-01), S. 108093-108093
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    28 nm CMOS process ESD protection based on diode-triggered silicon controlled rectifier
    Guo, Wei ; Jin, Hao ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 137 (2017-11-01), S. 128-133
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    Ultracompact ESD Protection With BIMOS-Merged Dual Back-to-Back SCR in Hybrid Bulk 28-nm FD-SOI Advanced CMOS Technology
    Marin-Cudraz, D. ; Legrand, Charles-Alexandre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), S. 3991-3997
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    Monolithic Three-Dimensional 65-nm CMOS-Nanoelectromechanical Reconfigurable Logic for Sub-1.2-V Operation
    Woo Young Choi ; Hyug Su Kwon ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-09-01), S. 1317-1320
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    Investigation of Unexpected Latchup Path Between HV-LDMOS and LV-CMOS in a 0.25- $\mu \text{m}$ 60-V/5-V BCD Technology
    Dai, Chia-Tsen ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-08-01), S. 3519-3523
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    A CMOS MEMS Thermal Flow Sensor for Gas and Liquid With Parylene-C Coating
    Xu, Wei ; Mousa, Basant ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), S. 919-922
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    Effect of fin shape of tapered FinFETs on the device performance in 5-nm node CMOS technology
    Yang, Hao ; Erry Dwi Kurniawan ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 83 (2018-04-01), S. 254-259
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Exploration of robustness limits and ESD EMI impact in a protection device for advanced CMOS technology
    Schoenmaker, Wim ; Galy, Philippe
    In: Microelectronics Reliability, 2017-09-01, S. 680-684
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    Electrical-Spin Transduction for CMOS-Spintronic Interface and Long-Range Interconnects
    Manipatruni, Sasikanth ; Naeemi, Azad ; et al.
    In: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Jg. 3 (2017-12-01), S. 47-55
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Enabling robust automotive electronic components in advanced CMOS nodes
    Huard, Vincent ; Bravaix, Alain ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, 2017-09-01, S. 13-24
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    A CMOS active inductor based digital and analog dual tuned voltage-controlled oscillator
    Islam, Aminul ; Mehra, Rishab ; et al.
    In: Microsystem Technologies, Jg. 25 (2017-06-01), S. 1571-1583
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Noise Margin, Delay, and Power Model for Pseudo-CMOS TFT Logic Circuits
    Zhao, Jiaqing ; Liu, Yongpan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-06-01), S. 2635-2642
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Linearized differential current sensor in low-voltage CMOS
    Naudé, Neil ; Sinha, Saurabh
    In: Microelectronics International, Jg. 34 (2017-05-02), S. 91-98
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    Freeform Compliant CMOS Electronic Systems for Internet of Everything Applications
    Nassar, Joanna M. ; Muhammad Mustafa Hussain ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-05-01), S. 1894-1905
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Integrated 0–30 V switching driver circuit fabricated by mesa isolation postprocess of standard 5 V CMOS LSI for MEMS actuator applications
    Okamoto, Yuki ; Mita, Yoshio
    In: Microsystem Technologies, Jg. 24 (2017-04-24), S. 503-510
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    Ultra-Low Power, Highly Reliable, and Nonvolatile Hybrid MTJ/CMOS Based Full-Adder for Future VLSI Design
    Sina Bakhtavari Mamaghani ; Rajaei, Ramin
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 17 (2017-03-01), S. 213-220
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    Comparison of Logic Performance of CMOS Circuits Implemented With Junctionless and Inversion-Mode FinFETs
    Guin, Shilpi ; Sil, Monali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-03-01), S. 953-959
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    Comprehensive understanding of dark count mechanisms of single-photon avalanche diodes fabricated in deep sub-micron CMOS technologies
    Xu, Yux ; Xiang, Ping ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 129 (2017-03-01), S. 168-174
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