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    Charge Trap Transistor (CTT): An Embedded Fully Logic-Compatible Multiple-Time Programmable Non-Volatile Memory Element for High- $k$ -Metal-Gate CMOS Technologies
    Khan, Faraz ; Iyer, Subramanian S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017), S. 44-47
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    ESD Robust Fully Salicided 5-V Integrated Power MOSFET in Submicron CMOS
    Prabhu, Manjunatha ; Lee, Jian-Hsing ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-05-01), S. 623-625
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    CMOS On-Chip Stable True-Random ID Generation Using Antenna Effect
    Tang, Fang ; Mohamad, Saqib ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014), S. 54-56
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    Compact Layout of DT-MOS Transistor With Source-Follower Subcircuit in 90-nm CMOS Technology
    Hsu, Heng-Ming ; Lee, Tai-Hsing
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-04-01), S. 392-395
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    A Low-Parasitic and Common-Centroid Cross-Coupled CMOS Transistor Structure for High-Frequency VCO Design
    Lee, In-Young ; Yun, Seok-Ju ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-05-01), S. 532-534
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    A Study of Stray Minority Carrier Diffusion in CMOS Image Sensors
    Wang, Ching-Chun ; Wei, Chia-Ling ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-04-01), S. 341-343
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    The Zero-Temperature-Coefficient Point Modeling of DTMOS in CMOS Integration
    Lin, Wan-Chyi ; Wang, Kuan-Ti ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-10-01), S. 1071-1073
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    A 0.26-$\mu\hbox{m}^{2}$ U-Shaped Nitride-Based Programming Cell on Pure 90-nm CMOS Technology
    Chrong Jung Lin ; Cheng, Kai-Yuan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-09-01), S. 837-839
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    Design of CMOS Transistors to Maximize Circuit FOM Using a Coupled Process and Mixed-Mode Simulation Methodology
    Chakravarthi, S. ; Venugopal, Ramesh ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-10-01), S. 863-865
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    VCO phase-noise improvement by gate-finger configuration of 0.13-/spl mu/m CMOS transistors
    Chi-Feng, Huang ; Liang, Gong-Hao ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-04-01), S. 258-260
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    A LDMOS technology compatible with CMOS and passive components for integrated RF power amplifiers
    Kumar, Mahender ; Tan, Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 21 (2000-02-01), S. 82-84
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    A bipolar load CMOS SRAM cell for embedded applications
    Shubat, A. ; Rezvani, G.A. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 16 (1995-05-01), S. 169-171
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    BiCMOS technology with 60 GHz n-p-n bipolar and 0.25 mu m CMOS
    Jenkins, Keith ; Taur, Yuan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 13 (1992-11-01), S. 578-580
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    Cost-Effective Integrated RF Power Transistor in 0.18-$muhboxm$CMOS Technology
    Huang, Ru ; Zeng, Rong ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-10-01), S. 856-858
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    Tightly Stacked 3D Diamond-Shaped Ge Nanowire Gate-All-Around FETs With Superior nFET and pFET Performance
    Lin, Shan-Wen ; Luo, Guang-Li ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-12-01), S. 1727-1730
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    A high density CMOS inverter with stacked transistors
    Colinge, Jean-Pierre ; Demoulin, E.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 2 (1981-10-01), S. 250-251
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    H-Terminated Polycrystalline Diamond p-Channel Transistors on GaN-on-Silicon
    Soleimanzadeh, Reza ; Riyaz Abdul Khadar ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020), S. 119-122
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    Double Control Gate Field-Effect Transistor for Area Efficient and Cost Effective Applications
    Meneghesso, Gaudenzio ; Stocco, Antonio ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-11-01), S. 1073-1075
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    Multilevel Anti-Fuse Cells by Progressive Rupturing of the High- <tex-math notation='LaTeX'>$\kappa $ </tex-math> Gate Dielectric in FinFET Technologies
    Chrong Jung Lin ; Jo En Yuan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-09-01), S. 1120-1122
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    MOSFET hot-carrier reliability improvement by forward-body bias
    Ishimaru, Kazunari ; Hu, Chenming ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-07-01), S. 605-608
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