Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
163 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Publikation

Sprache

163 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Template Thickness Dependence of GaInAsP MQW Laser Diode Grown on Directly Bonded InP/Si Substrate
    Shirai, Takuto ; Han, Xu ; et al.
    In: 2019 24th OptoElectronics and Communications Conference (OECC) and 2019 International Conference on Photonics in Switching and Computing (PSC), 2019-07-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    On an AlGaInP Light-Emitting Diode With a Modulation-Doped Multiquantum-Well (MD-MQW) Structure
    Yen, C. H. ; Liu, Y. J. ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 45 (2009-04-01), Heft 4, S. 367-372
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Wavelength demultiplexer using GaInAs-InP MQW-based variable refractive-index arrayed waveguides fabricated by selective MOVPE
    Kawakita, Y. ; Shimotaya, S. ; et al.
    In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Jg. 11 (2005), Heft 1, S. 211-216
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Study of an AlGaInP-Based Light-Emitting Diode With a Modulation-Doped Multiquantum-Well (MD-MQW) Structure
    Yen, C. H. ; Liu, Y. J. ; et al.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 21 (2009-05-01), Heft 10, S. 609-611
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Selective-area MOVPE growth of multi-$\lambda$ InGaAlAs-based MQWs on patterned InP-on-insulator substrate
    Fujii, Takuro ; Sato, Tomonari ; et al.
    In: 2019 Compound Semiconductor Week (CSW), 2019-05-01, S. 1-1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    240 nm wide wavelength range of AlGaInAs MQWs selectively grown by MOVPE
    Decobert, J. ; Dupuis, N. ; et al.
    In: 2008 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2008-05-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    10-Gb/s - 120-/spl deg/C operation of 1.3-/spl mu/m AlGaInAs-MQW-FP-LD with Ru-doped InP buried heterostructure
    Tsuruoka, K. ; Kobayashi, R. ; et al.
    In: 2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006, S. 75-78
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Temperature dependence of eigen-energies observed in optical transmittance of doped and undoped InGaAs/InAlAs MQWs
    Tanoue, Y. ; Tanaka, K. ; et al.
    In: Conference Proceedings. 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference (Cat. No.02CH37307), 2002, S. 499-502
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Dislocation free strained InGaAlAs-MQW growth over an InGaAsP/InP grating
    Takemoto, D. ; Nakahara, K. ; et al.
    In: Conference Proceedings. 2001 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. 13th IPRM (Cat. No.01CH37198), 2001, S. 394-397
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Effect of doping in barrier on photo-reflectance spectra of InGaAs/InAlAs MQWs; donor-states and QW eigen-states
    Kotera, N. ; Ohshima, K. ; et al.
    In: International Conference onIndium Phosphide and Related Materials,, 2003, S. 425-428
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    High temperature operation of optically pumped InGaN/GaN MQW heterostructure lasers grown on Si substrates
    Gurskii, A.L. ; Lutsenko, E.V. ; et al.
    In: 2003 International Symposium on Compound Semiconductors: Post-Conference Proceedings (IEEE Cat. No.03TH8767), 2003, S. 197-203
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Large number of periods in highly strained InGaAlAs/InGaAlAs MQW structures grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
    Tsuchiya, T. ; Takemoto, D. ; et al.
    In: Conference Proceedings. Eleventh International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'99) (Cat. No.99CH36362), 1999, S. 47-50
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High-quality 1.3 /spl mu/m AlGaInAs MQW by narrow-stripe selective metalorganic vapor-phased epitaxy and its application in buried heterostructure laser diodes
    Nakamura, T. ; Ohsawa, Y. ; et al.
    In: Conference Proceedings. 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference (Cat. No.02CH37307), 2002, S. 35-38
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Carrier transport effects in 1.3 /spl mu/m MQW InGaAsP laser design
    Silfvenius, C. ; Landgren, G.
    In: Conference Proceedings. 1998 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (Cat. No.98CH36129), 1998, S. 250-253
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Pulse-mode selective MOVPE method for high-quality strained InGaAsP MQW structure
    Sakata, Y. ; Inomoto, Y. ; et al.
    In: Conference Proceedings. 1998 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (Cat. No.98CH36129), 1998, S. 317-320
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Narrow-stripe selective MOVPE technology for high-quality strained InGaAsP MQW structures
    Sakata, Y. ; Komatsu, K.
    In: Conference Proceedings. Eleventh International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'99) (Cat. No.99CH36362), 1999, S. 41-46
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Polarization insensitive interferometric wavelength converter with tensile strained InGaAs/InGaAsP MQW structure
    Schilling, M. ; Wiedemann, P. ; et al.
    In: Proceedings of 8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 1996, S. 230-233
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Strained MQW-BH-LDs and integrated devices fabricated by selective MOVPE
    Sakata, Y. ; Morimoto, T. ; et al.
    In: Proceedings of 8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 1996, S. 761-764
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Fabrication of a polarization insensitive electroabsorption modulator with strained InGaAs/InAlAs MQW by MOVPE
    Kondo, S. ; Wakita, K. ; et al.
    In: Seventh International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 1995, S. 61-64
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Narrow-stripe selective MOVPE for high-quality InGaAsP MQWS and its application to photonic integrated circuits
    Sasaki, T. ; Yamaguchi, M.
    In: Conference Proceedings. 1998 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (Cat. No.98CH36129), 1998, S. 353-356
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -