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    Masked growth of InGaAsP-based quantum wells for optoelectronic device applications
    CHEN, Y ; CHIU, T. H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 14, S. 1641-1643
    Online academicJournal
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    Hydrogen plasma removal of AlGaAs oxides before molecular beam epitaxy
    CHOQUETTE, K. D ; HONG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 7, S. 735-737
    Online academicJournal
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    Molecular beam epitaxial regrowth on in situ plasma-etched AlAs/AlGaAs heterostructures
    CHOQUETTE, K. D ; HONG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 14, S. 1738-1740
    Online academicJournal
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    Growth kinetics of (100), (110), and (111) homoepitaxial diamond films
    CHU, C. J ; HAUGE, R. H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 12, S. 1393-1395
    Online academicJournal
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    Gas-source molecular beam epitaxy growth of highly strained device quality InAsP/InP multiple quantum well structures
    HOU, H. Q ; TU, C. W ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 58 (1991), Heft 25, S. 2954-2956
    Online academicJournal
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    Elimination of dark line defects in GaAs-on-Si by post-growth patterning and thermal annealing
    NARESH, CHAND ; CHU, S. N. G
    In: Applied physics letters, Jg. 58 (1991), Heft 1, S. 74-76
    Online academicJournal
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    Very high tin doping of Ga0.47In0.53As by molecular beam epitaxy
    PANISH, M. B ; HAMM, R. A ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 56 (1990), Heft 12, S. 1137-1139
    Online academicJournal
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    Origin and improvement of interface roughness in AlGaAs/GaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy
    NARESH, CHAND ; CHU, S. N. G
    In: Applied physics letters, Jg. 57 (1990), Heft 17, S. 1796-1798
    Online academicJournal
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    Low threshold and high power output 1.5 μm InGaAs/InGaAsP separate confinement multiple quantum well laser grown by chemical beam epitaxy
    TSANG, W. T ; WU, M. C ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 57 (1990), Heft 20, S. 2065-2067
    Online academicJournal
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    Laser-induced homoepitaxial growth of gallium arsenide films
    CHU, S. S ; CHU, T. L ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 52 (1988), Heft 15, S. 1243-1245
    Online academicJournal
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    Molecular beam epitaxial growth and characterization of 2-in.-diam Hg1-xCdxTe films on GaAs (100) substrates
    LANGE, M. D ; SIVANANTHAN, S ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 52 (1988), Heft 12, S. 978-980
    Online academicJournal
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    Thermal stability of InGaAs/InP quantum well structures grown by gas source molecular beam epitaxy
    TEMKIN, H ; CHU, S. N. G ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 50 (1987), Heft 15, S. 956-958
    Online academicJournal
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    Plasma enhanced chemical vapor deposition of epitaxial mercury telluride
    WILLIAMS, L. M ; LU, P.-Y ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 51 (1987), Heft 21, S. 1738-1740
    Online academicJournal
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    Hg1-xMnx Te-CdTe superlattices grown by molecular beam epitaxy
    CHU, X ; SIVANANTHAN, S ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 50 (1987), Heft 10, S. 597-599
    Online academicJournal
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    Characterization of GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition on Si-on-insulator
    PEARTON, S. J ; VERNON, S. M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 51 (1987), Heft 15, S. 1188-1190
    Online academicJournal
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    Polarity determination of CdTe(111) orientation grown on GaAs(100) by molecular beam epitaxy
    HSU, C ; SIVANANTHAN, S ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 48 (1986), Heft 14, S. 908-910
    Online academicJournal
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    Molecular beam epitaxial growth of a novel strained-layer superlattice system: CdTe-ZnTe
    MONFROY, G ; SIVANANTHAN, S ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 49 (1986), Heft 3, S. 152-154
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    High-resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy studies of InGaAs/InP superlattices grown by gas-source molecular beam epitaxy
    VANDENBERG, J. M ; CHU, S. N. G ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 49 (1986), Heft 19, S. 1302-1304
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    Epitaxial Hg1-xCdxTe growth by low-temperature metalorganic chemical vapor deposition
    LU, P.-Y ; WANG, C.-H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 49 (1986), Heft 20, S. 1372-1374
    Online academicJournal
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    Growth of Hg1-xZnxTe by molecular beam epitaxy on a GaAs(100) substrate
    SIVANANTHAN, S ; CHU, X ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 47 (1985), Heft 12, S. 1291-1293
    Online academicJournal
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