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    Wafer‐scale Ge epitaxial foils grown at high growth rates and released from porous substrates for triple‐junction solar cells.
    Depauw, Valérie ; Porret, Clément ; et al.
    In: Progress in Photovoltaics, Jg. 31 (2023-12-01), Heft 12, S. 1315-1328
    Online academicJournal
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    Ge instability and the growth of Ge epitaxial layers in nanochannels on patterned Si (001) substrates.
    Wang, G. ; Rosseel, E. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-12-15), Heft 12, S. 123517-1- (8S.)
    Online academicJournal
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    Evolution of phosphorus-vacancy clusters in epitaxial germanium.
    Vohra, Anurag ; Khanam, Afrina ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 125 (2019-01-14), Heft 2, S. N.PAG- (6S.)
    Online academicJournal
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    Compressively strained epitaxial Ge layers for quantum computing applications.
    Shimura, Yosuke ; Godfrin, Clement ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 174 (2024-05-01), S. N.PAG
    academicJournal
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    Stress in Silicon–Germanium Nanowires: Layout Dependence and Imperfect Source/Drain Epitaxial Stressors.
    Eneman, Geert ; Veloso, Anabela ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-11-01), Heft 11, S. 5380-5385
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Selective Area Growth of InP and Defect Elimination on Si (001) Substrates.
    Wang, Gang ; Leys, Maarten ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 158 (2011-06-01), Heft 6, S. H645- (6S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High Quality Ge Virtual Substrates on Si Wafers with Standard STI Patterning.
    Loo, R. ; Wang, G. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 157 (2010), Heft 1, S. H13- (9S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Successful Selective Epitaxial Si1-xGex Deposition Process for HEBT-BiCMOS and High Mobility Heterojunction pMOS Applications.
    Loo, R. ; Caymax, M. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 150 (2003-10-01), Heft 10, S. G638- (10S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Analysis of selectively grown epitaxial Si1-xGex by spectroscopic ellipsometry and comparison with other established techniques.
    Loo, R. ; Caymax, M. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 147 (2000-02-01), Heft 2, S. 751-755
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Effect of epitaxial crystallization on adhesive strength in impact-toughened isotactic polypropylene.
    Kestenbach, Hans-Jürgen ; Loos, Joachim ; et al.
    In: Polymer Engineering & Science, Jg. 38 (1998-03-01), Heft 3, S. 478-484
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Properties of Si/Si1-xGex quantum dots and wires grown by selective epitaxy.
    Vescan, L. ; Dieker, C. ; et al.
    In: Materials Science & Technology, Jg. 11 (1995-04-01), S. 421-424
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    High quality Ge epitaxial layers in narrow channels on Si (001) substrates.
    Wang, G. ; Rosseel, E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-03-15), Heft 11, S. 111903-1- (3S.)
    Online academicJournal
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    Tensely strained silicon on SiGe produced by strain transfer.
    Buca, D. ; Carius, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-09-27), Heft 13, S. 2499-2501
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Defect evaluation in strain-relaxed Ge0.947Sn0.053 grown on (001) Si.
    Gupta, S. ; Shimura, Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-11-05), Heft 19, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    Scalability comparison between raised- and embedded-SiGe source/drain structures for Si0.55Ge0.45 implant free quantum well pFET.
    Yamaguchi, S. ; Witters, L. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 83 (2018-04-01), S. 157-161
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Fundamentals of Ge1−xSnx and SiyGe1−x-ySnx RPCVD epitaxy.
    Margetis, Joe ; Mosleh, Aboozar ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 70 (2017-11-01), S. 38-43
    academicJournal
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    Use of high order precursors for manufacturing gate all around devices.
    Hikavyy, A. ; Zyulkov, I. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 70 (2017-11-01), S. 24-29
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Properties and growth peculiarities of Si0.30Ge0.70 stressor integrated in 14 nm fin-based p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
    Hikavyy, A. ; Rosseel, E. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 602 (2016-03-01), S. 72-77
    academicJournal
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    Amorphous inclusions during Ge and GeSn epitaxial growth via chemical vapor deposition.
    Gencarelli, F. ; Shimura, Y. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 590 (2015-09-01), S. 163-169
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Ge-Source Vertical Tunnel FETs Using a Novel Replacement-Source Integration Scheme.
    Rooyackers, Rita ; Vandooren, Anne ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 12, S. 4032-4039
    Online academicJournal
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    Volltext
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