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    Epitaxial SrRuO3 thin films on (001) SrTiO3
    Chu, Wei-Kan ; Dezaneti, L. M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 71 (1997-08-25), S. 1047-1049
    Online unknown
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    Using point-defect engineering to increase stability of highly doped ultrashallow junctions formed by molecular-beam-epitaxy growth
    Dharmaiahgari, Bhanu P. ; Trombetta, L. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-10-06), S. 2823-2825
    Online unknown
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    Effect of growth stoichiometry on the electrical activity of screw dislocations in GaN films grown by molecular-beam epitaxy
    Pfeiffer, L. N. ; Manfra, Michael J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 78 (2001-06-18), S. 3980-3982
    Online unknown
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    Low pressure oxygen annealing at high temperature for high quality sputtered YBa2Cu3O7−δ films
    Chu, W. K. ; Zhai, H. Y.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 76 (2000-06-12), S. 3621-3623
    Online unknown
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    Study of impurity states in p-type Hg1−xCdxTe using far-infrared spectroscopy
    Chu, Junhao ; Li, Biao ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 73 (1998-09-14), S. 1538-1540
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    Electrical properties and crystal structures of (Ba,Sr)TiO3 films and BaRuO3 bottom electrodes prepared by sputtering
    Lin, Pang ; Chung Ming Chu
    In: Applied Physics Letters, Jg. 72 (1998-03-09), S. 1241-1243
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    Stabilization of cubic CrN0.6 in CrN0.6/TiN superlattices
    Sproul, William D. ; Wong, Ming-Show ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 72 (1998-02-23), S. 987-989
    Online unknown
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    Smoothing of YBa2Cu3O7−δ films by ion cluster beam bombardment
    Li, Y. P. ; Yamada, I. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 72 (1998-01-12), S. 246-248
    Online unknown
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    In situ reflectance monitoring of InP/InGaAsP films grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    Chu, S. N. G. ; McDonald, M. L. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 69 (1996-08-12), S. 928-930
    Online unknown
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    High oxygen and carbon contents in GaAs epilayers grown below a critical substrate temperature by molecular beam epitaxy
    Chong, T. C. ; Chu, Paul K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 68 (1996-02-05), S. 841-843
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Symmetric self‐electro‐optic effect device array grown by metalorganic vapor phase epitaxy using GaAs/Al0.04Ga0.96As shallow quantum wells
    Park, Suntak ; Mun Seok Jeong ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 62 (1993-03-15), S. 1176-1178
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Hydrogen plasma removal of AlGaAs oxides before molecular beam epitaxy
    Joseph Petrus Mannaerts ; Wetzel, R. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 62 (1993-02-15), S. 735-737
    Online unknown
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    Greatly improved interfacial passivation of in-situ high κ dielectric deposition on freshly grown molecule beam epitaxy Ge epitaxial layer on Ge(100)
    Chu, R. L. ; Lin, T. D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-05-19), S. 202102-202102
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Growth kinetics of (100), (110), and (111) homoepitaxial diamond films
    Hauge, Robert H. ; D'Evelyn, Mark P. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 61 (1992-09-21), S. 1393-1395
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Laser‐driven boron diffusion into a Si epitaxial layer from a p+ boron‐doped Si substrate
    Kim, Kyong-Min ; R. J. von Gutfeld ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 61 (1992-08-31), S. 1066-1068
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    Molecular beam epitaxial regrowth oninsituplasma‐etched AlAs/AlGaAs heterostructures
    Chu, S. N. G. ; Leibenguth, R.E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 60 (1992-04-06), S. 1738-1740
    Online unknown
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    Growth and phase transition characteristics of pure M-phase VO2 epitaxial film prepared by oxide molecular beam epitaxy
    Zou, Chongwen ; Chen, F. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 103 (2013-09-23), S. 131914-131914
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Effects of substrate misorientation on incorporation of ambient oxygen and interfacial roughness in AlGaAs/GaAs heterostructures grown by molecular‐beam epitaxy
    Geva, M. ; Sung-Nee George Chu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 59 (1991-11-25), S. 2874-2876
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    Growth ofinsitudoped silicon epitaxial layer by rapid thermal processing
    Ku, Y. H. ; Chu, Paul K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 57 (1990-10-15), S. 1628-1630
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    Very high tin doping of Ga0.47In0.53As by molecular beam epitaxy
    Hopkins, L. C. ; Chu, S. N. G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 56 (1990-03-19), S. 1137-1139
    Online unknown
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