Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
5 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

5 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Epitaxial Mn<subscript>5</subscript>Ge<subscript>3</subscript> (100) layer on Ge (100) substrates obtained by flash lamp annealing.
    Xie, Yufang ; Yuan, Ye ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-11-26), Heft 22, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Epitaxial Mn5Ge3 (100) layer on Ge (100) substrates obtained by flash lamp annealing.
    Xie, Yufang ; Yuan, Ye ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-11-26), Heft 22, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Silicidation-induced band gap shrinkage in Ge epitaxial films on Si.
    Liu, Jifeng ; Cannon, Douglas D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 84 (2004-02-02), Heft 5, S. 660-662
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    HfO2 high-k dielectrics grown on (100)Ge with ultrathin passivation layers: Structure and interfacial stability.
    Seo, J. W. ; Dieker, Ch ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-11-28), Heft 22, S. 221906-221906
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Surfactant-mediated epitaxy of relaxed low-doped Ge films on Si(001) with low defect densities.
    Wietler, T. F. ; Bugiel, E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-10-31), Heft 18, S. 182102-182102
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -