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    Conformal bilayer h-AlN epitaxy on WS2 by ALD with ultralow leakage current.
    Wang, Shin-Yuan ; Chang, Shu-Jui ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 123 (2023-10-16), Heft 16, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Conformal bilayer h-AlN epitaxy on WS<subscript>2</subscript> by ALD with ultralow leakage current.
    Wang, Shin-Yuan ; Chang, Shu-Jui ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 123 (2023-10-16), Heft 16, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Flexible self-powered DUV photodetectors with high responsivity utilizing Ga2O3/NiO heterostructure on buffered Hastelloy substrates.
    Tang, Xiao ; Lu, Yi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-03-20), Heft 12, S. 1-5
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Flexible self-powered DUV photodetectors with high responsivity utilizing Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/NiO heterostructure on buffered Hastelloy substrates.
    Tang, Xiao ; Lu, Yi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-03-20), Heft 12, S. 1-5
    Online academicJournal
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    van der Waals epitaxy of 2D h-AlN on TMDs by atomic layer deposition at 250 °C.
    Chang, Shu-Jui ; Wang, Shin-Yuan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 120 (2022-04-18), Heft 16, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Thermal conductivity of the n = 1–5 and 10 members of the (SrTiO3)nSrO Ruddlesden–Popper superlattices
    Chernatynskiy, Aleksandr V. ; Cahill, David G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 118 (2021-03-01), S. 091904-91904
    Online unknown
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    Thermal redistribution of localized excitons and its effect on the luminescence band in InGaN ternary alloys
    Xu, Shijie ; Yang, Hui ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-09-17), S. 1810-1812
    Online unknown
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    Effect of stoichiometry on the dielectric properties and soft mode behavior of strained epitaxial SrTiO3 thin films on DyScO3 substrates
    Che Hui Lee ; Kamba, Stanislav ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 102 (2013-02-25), S. 082905-82905
    Online unknown
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    NpN-GaN/InxGa1−xN/GaN heterojunction bipolar transistor on free-standing GaN substrate
    P. Doug Yoder ; Zhang, Yun ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 99 (2011-11-07), S. 193501-193501
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Temperature-dependent Hall and photoluminescence evidence for conduction-band edge shift induced by alloying ZnO with magnesium
    Pan, X. Q. ; Che, Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 95 (2009-10-12), S. 152105-152105
    Online unknown
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    Epitaxial ZnO films on (111) Si substrates with Sc2O3 buffer layers
    Che, Y. ; Nelson, C. T. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 94 (2009-03-23), S. 122107-122107
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Violet luminescence in phosphorus-doped ZnO epitaxial films
    Pan, Xiaoqing ; Hu, Z. D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 92 (2008-01-14), S. 022107-22107
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Polarity inversion in high Mg-doped In-polar InN epitaxial layers
    Yoshida, Seikoh ; Sasaki, Hirokazu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-08-20), S. 081912-81912
    Online unknown
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    Microstructure and properties of epitaxial antimony-doped p-type ZnO films fabricated by pulsed laser deposition
    Hu, Z. D. ; Allenic, A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-06-11), S. 242108-242108
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Proposal and achievement of novel structure InN∕GaN multiple quantum wells consisting of 1 ML and fractional monolayer InN wells inserted in GaN matrix
    Hwang, E. S. ; Wang, Xinqiang ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-02-12), S. 073101-73101
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Porous InP array-directed assembly of InAs nanostructure
    Wang, Zhanguo ; Liu, Fengqi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 88 (2006-06-26), S. 263107-263107
    Online unknown
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    Growth of InN quantum dots on N-polarity GaN by molecular-beam epitaxy
    Ishitani, Yoshihiro ; Kikukawa, Naohiro ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 86 (2005-04-11), S. 153115-153115
    Online unknown
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    Polarity control of ZnO films grown on nitrided c-sapphire by molecular-beam epitaxy
    Ishitani, Yoshihiro ; Roh, Ok-Hwan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 86 (2005-01-03), S. 011921-11921
    Online unknown
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    NpN-GaN/InxGa1-xN/GaN heterojunction bipolar transistor on free-standing GaN substrate.
    Lochner, Zachary ; Kim, Hee Jin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 99 (2011-11-07), Heft 19, S. 193501-193501
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    Polarity inversion in high Mg-doped In-polar InN epitaxial layers.
    Wang, Xinqiang ; Che, Song-Bek ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-08-20), Heft 8, S. 081912-81912
    Online academicJournal
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