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    Epitaxial growth and phase evolution of ferroelectric La-doped HfO2 films.
    Shen, Zhi ; Liao, Lei ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 120 (2022-04-18), Heft 16, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth and phase evolution of ferroelectric La-doped HfO<subscript>2</subscript> films.
    Shen, Zhi ; Liao, Lei ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 120 (2022-04-18), Heft 16, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Properties of stress-induced super tetragonal phase in epitaxial BiFeO3 thin film
    Zhu, Jing ; Chu, Ying-Hao ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 118 (2021-06-14), S. 242903-242903
    Online unknown
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    Symmetric self-electro-optic effect device array growtn by metalorganic vapor phase epitaxy using GaAs/Al0.04Ga0.96As shallow quantum wells
    LEE, S. W ; KIM, T. M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 11, S. 1176-1178
    Online academicJournal
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    Masked growth of InGaAsP-based quantum wells for optoelectronic device applications
    CHEN, Y ; CHIU, T. H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 14, S. 1641-1643
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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    Hydrogen plasma removal of AlGaAs oxides before molecular beam epitaxy
    CHOQUETTE, K. D ; HONG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 7, S. 735-737
    Online academicJournal
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    Molecular beam epitaxial regrowth on in situ plasma-etched AlAs/AlGaAs heterostructures
    CHOQUETTE, K. D ; HONG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 14, S. 1738-1740
    Online academicJournal
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    Growth kinetics of (100), (110), and (111) homoepitaxial diamond films
    CHU, C. J ; HAUGE, R. H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 12, S. 1393-1395
    Online academicJournal
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    Optimized InAlAs graded buffer and tensile-strained dislocation filter layer for high quality InAs photodetector grown on Si
    Won Jun Choi ; Jung, Daehwan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-12-28), S. 262106-262106
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    InGaAs/InP multiple quantum wall tunable bragg reflector
    BLUM ; ZUCKER, J. E ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 23, S. 2971-2973
    Online academicJournal
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    High reflectivity 1.55 μm InP/InGaAsP Bragg mirror grown by chemical beam epitaxy
    CHOA, F. S ; TAI, K ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 22, S. 2820-2822
    Online academicJournal
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    Effects of substrate misorientation on incorporation of ambient oxygen and interfacial roughness in AlGaAs/GaAs heterostructures grown by molecular-beam epitaxy
    CHAND, N ; CHU, S. N. G ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 22, S. 2874-2876
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Linewidth dependence of critical current density in Y1Ba2Cu3O7 thin-film microbridges
    ZHAO, Y. J ; CHU, W. K ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 9, S. 1129-1131
    Online academicJournal
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    Gas-source molecular beam epitaxy growth of highly strained device quality InAsP/InP multiple quantum well structures
    HOU, H. Q ; TU, C. W ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 58 (1991), Heft 25, S. 2954-2956
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Elimination of dark line defects in GaAs-on-Si by post-growth patterning and thermal annealing
    NARESH, CHAND ; CHU, S. N. G
    In: Applied physics letters, Jg. 58 (1991), Heft 1, S. 74-76
    Online academicJournal
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    Very high tin doping of Ga0.47In0.53As by molecular beam epitaxy
    PANISH, M. B ; HAMM, R. A ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 56 (1990), Heft 12, S. 1137-1139
    Online academicJournal
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    Origin and improvement of interface roughness in AlGaAs/GaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy
    NARESH, CHAND ; CHU, S. N. G
    In: Applied physics letters, Jg. 57 (1990), Heft 17, S. 1796-1798
    Online academicJournal
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    Is the cation sticking coefficient unity in molecular beam epitaxy at low temperature ?
    CHIU, T. H ; CHU, S. N. G
    In: Applied physics letters, Jg. 57 (1990), Heft 14, S. 1425-1427
    Online academicJournal
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    Low threshold and high power output 1.5 μm InGaAs/InGaAsP separate confinement multiple quantum well laser grown by chemical beam epitaxy
    TSANG, W. T ; WU, M. C ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 57 (1990), Heft 20, S. 2065-2067
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Growth of in situ deoped silicon epitaxial layer by rapid thermal processing
    LEE, S. K ; KU, Y. H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 57 (1990), Heft 16, S. 1628-1630
    Online academicJournal
    Zugriff:
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