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    Toward an understanding of the mechanism of mixed-salt-mediated CVD growth of MoSe<subscript>2</subscript>.
    Lee, Juyong ; Shin, Naechul
    In: Applied Physics Letters, Jg. 123 (2023-10-30), Heft 18, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Toward an understanding of the mechanism of mixed-salt-mediated CVD growth of MoSe2.
    Lee, Juyong ; Shin, Naechul
    In: Applied Physics Letters, Jg. 123 (2023-10-30), Heft 18, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Toward an understanding of the mechanism of mixed-salt-mediated CVD growth of MoSe<subscript>2</subscript>.
    Lee, Juyong ; Shin, Naechul
    In: Applied Physics Letters, Jg. 123 (2023-10-30), Heft 18, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Singular instabilities on LPE GaAs, CVD Si, and MBE InP growth surfaces
    Rode, Daniel L. ; Schumaker, N. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 30 (1977-01-15), S. 75-78
    Online unknown
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    Photopumped laser operation of MO‐CVD AlxGa1−xAs near a GaAs quantum well (λ≳6200 Å, 77 °K)
    Holonyak, Nick ; Dupuis, R. D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 33 (1978-10-01), S. 596-598
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Low‐threshold continuous laser operation (300–337 °K) of multilayer MO‐CVD AlxGa1−xAs‐GaAs quantum‐well heterostructures
    Dupuis, Russell D. ; Kolbas, R. M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 33 (1978-10-15), S. 737-739
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Free-standing single-crystalline chemically vapor deposited diamond films
    TZENG, Y ; WEI, J ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 16, S. 2216-2218
    Online academicJournal
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    Homoepitaxial growth of diamond thin films by electron cyclotron-resonance microwave plasma chemical-vapor-deposition apparatus with CO/H2 gaseous source
    KOMORI, M ; MAKI, T ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 6, S. 582-584
    Online academicJournal
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    Structure of (001) GaAs surfaces during epitaxial growth by organometallic chemical vapor deposition
    KAMIYA, I ; TANAKA, H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 23, S. 3206-3208
    Online academicJournal
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    Epitaxial LiTaO3 thin film by pulsed metalorganic chemical vapor deposition from a single precursor
    HUYANG, XIE ; RISHI, RAJ
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 23, S. 3146-3148
    Online academicJournal
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    Intermittent ultraviolet irradiation for silicon selective epitaxial growth
    MIYATA, N ; YAMAZAKI, T ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 6, S. 588-590
    Online academicJournal
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    Low pressure metalorganic chemical vapor deposition of AIN over sapphire substrates
    ASIF KHAN, M ; KUZNIA, J. N ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 21, S. 2539-2541
    Online academicJournal
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    Single-crystalline, epitaxial cubic SiC films grown on (100) Si at 750°C by chemical vapor deposition
    GOLECKI, I ; REIDINGER, F ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 14, S. 1703-1705
    Online academicJournal
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    Selective Si epitaxial growth by plasma-enhanced chemical vapor deposition at very low temperature
    BAERT, K ; DESCHEPPER, P ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 4, S. 442-444
    Online academicJournal
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    Organometallic vapor-phase homoepitaxy of gallium arsenide assisted by a downstream hydrogen afterglow plasma in the growth region
    PIHLSTROM, B. G ; SHENG, T. Y ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 25, S. 3144-3146
    Online academicJournal
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    Improved InP regreowth properties in metalorganic vapor phase epitaxy by addition of CCI4
    NORDELL, N ; BORGLIND, J
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 1, S. 22-24
    Online academicJournal
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    Effect of silicon source gas on silicon-germanium chemical vapor deposition kinetics at atmospheric pressure
    KAMINS, T. I ; MEYER, D. J
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 1, S. 90-92
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    Temperature dependence of Si1-xGex epitaxial growth using very low pressure chemical vapor deposition
    SYUN-MING, JANG ; REIF, R
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 24, S. 3162-3164
    Online academicJournal
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    Initial stage of InAs on GaAs grown by molecular-beam epitaxy studied with low-energy ion scattering
    KUBO, M ; NARUSAWA, T
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 27, S. 3577-3579
    Online academicJournal
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    Epitaxial silicon deposition at 300°C with remote plasma processing using SiH4/H2 mixtures
    HATTANGADY, S. V ; POSTHILL, J. B ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 3, S. 339-341
    Online academicJournal
    Zugriff:
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