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    Solar-blind ultraviolet AlInN/AlGaN distributed Bragg reflectors.
    Zhang, Lili ; Dong, Kexiu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 102 (2013-06-17), Heft 24, S. 242112-242115
    Online academicJournal
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    Vertical cavity surface emitting laser action of an all monolithic ZnO-based microcavity.
    Kalusniak, S. ; Sadofev, S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 98 (2011-01-03), Heft 1, S. 11101-11103
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Crack-free fully epitaxial nitride microcavity using highly reflective AlInN/GaN Bragg mirrors.
    Carlin, J. F. ; Dorsaz, J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 86 (2005-01-17), Heft 3, S. 31107-31109
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Morphological instability of GaInNAs quantum wells on Al-containing layers grown by metalorganic vapor-phase epitaxy.
    Sundgren, P. ; Asplund, C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 82 (2003-04-14), Heft 15, S. 2431-2433
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    In situ growth monitoring of distributed GaN–AlGaN Bragg reflectors by metalorganic vapor phase epitaxy.
    Schenk, H. P. D. ; de Mierry, P. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-01-14), Heft 2, S. 174-176
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Sub 250 nm deep-UV AlGaN/AlN distributed Bragg reflectors
    Wang, Shuo ; Dupuis, Russell D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 110 (2017-01-02), S. 011105-11105
    Online unknown
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    GaN-based vertical-cavity surface emitting lasers with sub-milliamp threshold and small divergence angle
    Chang, Chia-Chi ; Liou, J. S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 109 (2016-12-12), S. 241103-241103
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Morphological instability of GaInNAs quantum wells on Al-containing layers grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
    Hammar, Mattias ; Sundgren, Petrus ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 82 (2003-04-14), S. 2431-2433
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    In situgrowth monitoring of distributed GaN–AlGaN Bragg reflectors by metalorganic vapor phase epitaxy
    Laügt, M. ; Schenk, H. P. D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-01-14), S. 174-176
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Fabrication of GaP/Al–oxide distributed Bragg reflectors for the visible spectrum
    Chang, K. L. ; Cheng, K. Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 78 (2001-02-19), S. 1044-1046
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    High reflectivity and broad bandwidth AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown by molecular-beam epitaxy
    Chu, S. N. G. ; Ng, Hock M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 76 (2000-05-15), S. 2818-2820
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Fabrication of a substrate-independent aluminum oxide-GaAs distributed Bragg reflector
    Cheng, Kangguo ; Pickrell, G. W. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 75 (1999-09-06), S. 1371-1373
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High‐reflectivity visible‐wavelength semiconductor native oxide Bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition
    Chelakara, R. V. ; Ciuba, F. J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 66 (1995-05-22), S. 2831-2833
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Highly reflective, long wavelength AlAsSb/GaAsSb distributed Bragg reflector grown by molecular beam epitaxy on InP substrates
    Drummond, T. J. ; Klem, John F. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 66 (1995-01-16), S. 329-331
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    InAIP/InAlGaP distributed Bragg reflectors for visible vertical cavity surface‐emitting lasers
    Schneider, R. P. ; Lott, J. A.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 62 (1993-05-31), S. 2748-2750
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Observation of reduced current thresholds in GaAs/AlGaAs vertical‐cavity surface‐emitting lasers grown on 4° off‐orientation (001) GaAs substrates
    Hsieh, Y. F. ; Chu, S. N. G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 57 (1990-10-15), S. 1613-1615
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Nonpolar GaN-based microcavity using AlN∕GaN distributed Bragg reflector
    Butté, Raphaël ; Martin, Denis ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 92 (2008-02-11), S. 061114-61114
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Crack-free fully epitaxial nitride microcavity using highly reflective AlInN∕GaN Bragg mirrors
    Dorsaz, J. ; Ilegems, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 86 (2005-01-17), S. 031107-31107
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Enhanced spectral power density and reduced linewidth at 1.3 μm in an InGaAsP quantum well resonant-cavity light-emitting diode
    HUNT, N. E. J ; SCHUBERT, E. F ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 19, S. 2287-2289
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Distributed Bragg reflector lattice‐matched Pb1−xSnxTe/PbSeyTe1−ydiode lasers
    Kapon, Eli ; Zussman, A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 44 (1984-02-01), S. 275-277
    Online unknown
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