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    Optimization of SiGe selective epitaxy for source/drain engineering in 22 nm node complementary metal-oxide semiconductor (CMOS).
    Wang, G. L. ; Moeen, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-09-28), Heft 12, S. 123511-123517
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Optimization of SiGe selective epitaxy for source/drain engineering in 22 nm node complementary metal-oxide semiconductor (CMOS)
    Yan, Jiang ; Radamson, Henry H. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-09-28), S. 123511-123511
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    InAs nano-ridges and thin films grown on (001) silicon substrates.
    Yan, Zhao ; Han, Yu ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-07-21), Heft 3, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Ferroelectric and magnetic properties of multiferroic BiFeO<subscript>3</subscript>-La<subscript>0.7</subscript>Sr<subscript>0.3</subscript>MnO<subscript>3</subscript> heterostructures integrated with Si (100).
    Singamaneni, Srinivasa Rao ; Prater, J. T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-05-07), Heft 17, S. 17D908-1- (4S.)
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Ferroelectric and magnetic properties of multiferroic BiFeO3-La0.7Sr0.3MnO3 heterostructures integrated with Si (100).
    Singamaneni, Srinivasa Rao ; Prater, J. T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-05-07), Heft 17, S. 17D908-1- (4S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Influence of regrowth conditions on the hole mobility in strained Ge heterostructures produced by hybrid epitaxy.
    Morris, R. J. H. ; Leadley, D. R. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-12-01), Heft 11, S. 6470-6476
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Control of growth mode in SrTiO3 homoepitaxy under 500°C.
    Li, Yan Rong ; Li, Jin Long ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-08-01), Heft 3, S. 1640-1643
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Band gap renormalization in n-type GeSn alloys made by ion implantation and flash lamp annealing
    Wang, Mao ; Grenzer, Joerg ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 125 (2019-05-28), S. 203105-203105
    Online unknown
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    Pentacene and ZnO hybrid channels for complementary thin-film transistor inverters operating at 2 V.
    Oh, Min Suk ; Hwang, D. K. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 102 (2007-10-01), Heft 7, S. 076104-76104
    Online academicJournal
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    Interfacial magnetism in CaRuO3/CaMnO3 superlattices grown on (001) SrTiO3
    Mehta, Virat ; Wong, F. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 109 (2011-04-01), S. 07D729
    Online unknown
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    Cathodoluminescence study of luminescence centers in hexagonal and cubic phase GaN hetero-integrated on Si(100)
    Bayram, Can ; Liu, Runyu
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-07-14), S. 025106-25106
    Online unknown
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    Vertically grown Ge nanowire Schottky diodes on Si and Ge substrates
    Jeong Hyun Cho ; Chandra, Nishant ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 118 (2015-07-08), S. 024301-24301
    Online unknown
    Zugriff:
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    Characterization and modeling of structural properties of SiGe/Si superlattices upon annealing
    Hartmann, J.M. ; Barnes, Jean-Paul ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 110 (2011-08-15), S. 044510-44510
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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