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    A CMOS Compatible Si Template with (111) Facets for Direct Epitaxial Growth of III–V Materials.
    Wei, Wen-Qi ; Wang, Jian-Huan ; et al.
    In: Chinese Physics Letters, Jg. 37 (2020-02-01), Heft 2, S. 1-1
    academicJournal
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    MOCVD growth of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors on 200 mm Si wafers for heterogeneous integration with Si CMOS.
    Wan Khai Loke ; Kwang Hong Lee ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 33 (2018-11-01), Heft 11, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Contact resistivities of antimony-doped n-type Ge1−x Sn x.
    V S Senthil Srinivasan ; Inga A Fischer ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 31 (2016-08-01), Heft 8, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Strained SOI/SGOI dual-channel CMOS technology based on the Ge condensation technique.
    Tezuka, Tsutomu ; Nakaharai, Shu ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 22 (2007), Heft 1, S. S93- (6S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Epitaxial graphene on silicon substrates.
    Suemitsu, M. ; Fukidome, H.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 43 (2010-09-22), Heft 37, S. 146-156
    Online academicJournal
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    Bufferless Epitaxial Growth of GaAs on Step-Free Ge (001) Mesa.
    Huang, Ding-Ming ; Zhang, Jie-Yin ; et al.
    In: Chinese Physics Letters, Jg. 38 (2021-06-15), Heft 6, S. 1-5
    academicJournal
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    A review of III–V planar nanowire arrays: selective lateral VLS epitaxy and 3D transistors.
    Zhang, Chen ; Miao, Xin ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 50 (2017-10-04), Heft 39, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    In Situ HCl Etching of InP in Shallow-Trench-Isolated Structures.
    Orzali, T. ; Wang, G. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 159 (2012-04-01), Heft 4, S. H455- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    An Integrated Phase Change Memory Cell with Dual Trench Epitaxial Diode Selector.
    Chao, Zhang ; Zhi-Tang, Song ; et al.
    In: Chinese Physics Letters, Jg. 29 (2012-03-01), Heft 3, S. 1-4
    Online academicJournal
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    Epitaxy of GaN on silicon—impact of symmetry and surface reconstruction.
    Dadgar, A. ; Schulze, F. ; et al.
    In: New Journal of Physics, Jg. 9 (2007-10-01), Heft 10, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Effective surface treatments for selective epitaxial SiGe growth in locally strained pMOSFETs.
    Cheng, P. L. ; Liao, C. I. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 22 (2007), Heft 1, S. S140- (4S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    MOCVD growth of GaN on SEMI-spec 200 mm Si.
    Zhang, Li ; Kwang Hong Lee ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 32 (2017-06-01), Heft 6, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Application of Cl2 for low temperature etch and epitaxy.
    Hikavyy, Andriy ; Porret, Clement ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 34 (2019-07-01), Heft 7, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Epitaxial graphene on silicon substrates.
    Suemitsu, M ; Fukidome, H
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 43 (2010-09-22), Heft 37, S. 374012-374012
    Online academicJournal
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