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    Heteroepitaxial Growth of ImP and GaInAs on GaAs Substrates Using Tertiarybutylarsine and Tertiarybutylphosphine
    Yoo, C. H. ; Chu, T. L. ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 198 (1990)
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Rapid Thermal Processing of Shallow Junctions Using Epitaxial CoSi2 as a Doping Source
    Fraser, David B. ; Cheung, Nathan W. ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 342 (1994)
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Heteroepitaxy of Gallium Arsenide on Germanium Coated Silicon Substrates
    Firouzi, H. ; Chu, T. L. ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 67 (1986)
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Localized Epitaxial Growth of IrSi3, ReSi2, and Rh3Si4 on (111) and (00l)Si
    Tu, King-Ning ; Chen, Lun-Lun ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 116 (1988)
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    The Effect of Ge Segregation on Oxidation of Si
    Frey, Eric C. ; Chu, Wei-Kan ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 105 (1987)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Epitaxial Growth of NiSi2 and CoSi2 on Laterally Confined Silicon by Rapid Thermal Annealing
    Hsu, H.F. ; Chu, J.J. ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 146 (1989)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    ArF Excimer Laser-Induced Epitaxial Growth of GaAs Films on Si
    Chang, C. L. ; Cpu, T. L. ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 116 (1988)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -