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    Growth of Cuinse2 on (lOO) Gaas by Molecular Beam Epitaxy
    Tseng, Bae-Heng ; Lin, Song-Bin
    In: MRS Proceedings, Jg. 317 (1993)
    Online unknown
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    (Invited) Cutting-Edge Epitaxial Processes for Sub 3 Nm Technology Nodes: Application to Nanosheet Stacks and Epitaxial Wrap-Around Contacts
    Briggs, Basoene ; Loo, Roger ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 104 (2021-10-01), S. 139-146
    Online unknown
    Zugriff:
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    Epitaxy solutions for Ge MOS technology
    LEYS, F. E ; BONZOM, R ; et al.
    In: Proceedings of the Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), Awaji Island, Hyogo, Japan, Jg. 508 (2006), Heft 1-2, S. 292-296
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    In-line and nondestructive analysis of selectively grown epitaxial Si1-xGex and Si/Si1-xGex layers by Spectroscopic Ellipsometry and comparison with other established techniques
    LOO, Roger ; CAYMAX, Matty ; et al.
    In: In-line characterization, yield, reliability, and failure analysis in microelectronic manufacturing II (Edinburgh, 31 May - 1 June 2001), 2001, S. 131-140
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Application and Optimization of Automated ECCI Mapping to the Analysis of Lowly Defective Epitaxial Films on Blanket or Patterned Wafers
    Lagrain, P. ; Hantschel, Thomas ; et al.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2021-10-31
    Online unknown
    Zugriff:
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    Smooth and high quality epitaxial strained Ge grown on SiGe strain relaxed buffers with 70―85% Ge
    LOO, Roger ; SOURIAU, Laurent ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 324 (2011), Heft 1, S. 15-21
    academicJournal
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    Low temperature Si homo-epitaxy by reduced pressure chemical vapor deposition using dichlorosilane, silane and trisilane
    VINCENT, B ; LOO, R ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 312 (2010), Heft 19, S. 2671-2676
    academicJournal
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    Epitaxial Growth of Ga-doped SiGe for Reduction of Contact Resistance in finFET Source/Drain Materials
    Loo, Roger ; Margetis, Joe ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 93 (2019-10-22), S. 7-10
    Online unknown
    Zugriff:
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    Transmission electron microscopy investigation of the crystallographic quality of silicon films grown epitaxially on porous silicon
    JIN, S ; BENDER, H ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 212 (2000), Heft 1-2, S. 119-127
    academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    (Invited) Very Low Temperature Epitaxy of Group-IV Semiconductors for Use in FinFET, Stacked Nanowires and Monolithic 3D Integration
    Tolle, John ; Schaekers, Marc ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 86 (2018-07-20), S. 163-175
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Extended Carrier Lifetime in Epitaxial Ge-on-Nothing Virtual Substrates
    Porret, Clement ; Depauw, Valerie ; et al.
    In: ECS Meeting Abstracts, 2021-05-30, S. 1103-1103
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Crystalline defect analysis in epitaxial Si0.7Ge0.3 layer using site-specific ECCI-STEM
    Strakos, Libor ; Hantschel, Thomas ; et al.
    In: Micron, Jg. 150 (2021-11-01), S. 103123-103123
    Online unknown
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    Effect of Strain on the Epitaxy of B-Doped Si0.5Ge0.5 Source/Drain Layers
    Morris, Richard J. H. ; Porret, Clement ; et al.
    In: ECS Meeting Abstracts, 2021-10-19, S. 934-934
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Epitaxial CVD growth of ultra-thin Si passivation layers on strained Ge Fin structures
    Pourtois, Geoffrey ; Schulze, Andreas ; et al.
    In: ECS journal of solid state science and technology, 2018
    Online unknown
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    Volltext
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    Development of germanium-on-germanium engineered substrates for III-V multijunction solar cells
    Depauw, Valerie ; Kurstjens, Rufi ; et al.
    In: 2020 47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2020-06-14
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A demonstration of donor passivation through direct formation of V-As_i complexes in As-doped Ge_1−xSn_x
    Vohra, Anurag ; Makkonen, Ilja ; et al.
    2020
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Source/Drain Materials for Ge nMOS Devices: Phosphorus Activation in Epitaxial Si, Ge, Ge1-xSnx and SiyGe1-x-ySnx
    Makkonen, Ilja ; Khanam, Afrina ; et al.
    2020
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Selective epitaxial p-SiGe Source-Drain Contacts: Low Contact Resistivity (1.5x10-9 ohm.cm2) by Optimizing Strain and Doping Concentration
    Porret, C. ; Huang, Y.H. ; et al.
    In: Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2019-09-05
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Extremely low temperature selective epitaxial processes for advanced CMOS applications
    Hikavyy, A. ; Porret, C. ; et al.
    In: Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2019-09-04
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Device-Based Threading Dislocation Assessment in Germanium Hetero-Epitaxy
    Alberto Vinicius de Oliveira ; Paula Ghedini Der Agopian ; et al.
    In: 2019 34th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2019-08-01
    Online unknown
    Zugriff:
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xs 0 - 576
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