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    Influence of As+ Ion Implantation on Properties of MBE HgCdTe Near-Surface Layer Characterized by Metal–Insulator–Semiconductor Techniques.
    Voitsekhovskii, A. V. ; Nesmelov, S. N. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 50 (2021-04-01), Heft 4, S. 2323-2330
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
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    academicJournal
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    academicJournal
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    Microstructure of epitaxial Mg3N2 thin films grown by MBE.
    John, P. ; Vennéguès, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 129 (2021-03-07), Heft 9, S. 1-10
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Solid Phase Epitaxy of Single Phase Two-Dimensional Layered InSe Grown by MBE.
    Wu, Chia-Hsing ; Huang, Yu-Che ; et al.
    In: Nanomaterials (2079-4991), Jg. 12 (2022-07-15), Heft 14, S. N.PAG- (9S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    TEM structure investigations of low-temperature MBE grown InAlAs layers on InP[l angle]001[r angle] substrate
    Metzger, R [Hughes Research Labs., Malibu, CA (United States)]
    1992
    Online Konferenz
    Zugriff:
    View record in SciTech Connect (Volltext)
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    Large-area epitaxial CdTe(100) films grown on GaAs(100) substrates: MBE growth and substrate temperature effect
    Ha, Yang ; Tae Heon Kim ; et al.
    In: Journal of the Korean Physical Society, Jg. 79 (2021-11-22), S. 1057-1062
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Konferenz
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    Vertical MBE growth of Si fins on sub-10 nm patterned substrate for high-performance FinFET technology.
    Sun, Shuang ; Wang, Jian-Huan ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 30 (2021-07-01), Heft 7, S. 1-4
    academicJournal
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    academicJournal
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    Optimisation of MBE growth conditions for InAs quantum dots on (001) GaAs for 1.3mum luminescence : International conference on molecular beam epitaxy
    Ferdos, F. ; Sadeghi, M. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 227-228 (2001), S. 1140-1145
    Konferenz
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    Low threshold high efficiency MBE grown GaInAs/(Al)GaAs quantum dot lasers emitting at 980nm : International conference on molecular beam epitaxy
    Klopf, F. ; Reithmaier, J. P. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 227-228 (2001), S. 1151-1154
    Konferenz
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    Phase diagram of lateral and vertical ordering in self-organized PbSe quantum dot superlattice grown MBE : International conference on molecular beam epitaxy
    Springholz, G. ; Pinczolits, M. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 227-228 (2001), S. 1126-1131
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Area selective epitaxy of anti-dot structure of GaAs by solid source MBE : International conference on molecular beam epitaxy
    Hasegawa, H. ; Kuriyama, H. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 227-228 (2001), S. 1078-1083
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Structural characteristic and magnetic properties of Mn oxide films grown by plasma-assisted MBE : International conference on molecular beam epitaxy
    Guo, L. W. ; Makino, H. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 227-228 (2001), S. 955-959
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Structural characterization of self-assembled InAs quantum dots grown by MBE : International conference on molecular beam epitaxy
    Zhang, K. ; Heyn, C. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 227-228 (2001), S. 1020-1024
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Growth and characterization of undoped ZnO films for single crystal based device use by radical source molecular beam epitaxy (RS-MBE) : International conference on molecular beam epitaxy
    Nakahara, K. ; Takasu, H. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 227-228 (2001), S. 923-928
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Surface stress effects during MBE growth of III-V semiconductor nanostructures : International conference on molecular beam epitaxy
    Silveira, J. P. ; Garcia, J. M. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 227-228 (2001), S. 995-999
    Konferenz
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    Fabrication of quantum wires by in-situ ion etching and MBE overgrowth : International conference on molecular beam epitaxy
    Heyn, C. ; Klein, C. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 227-228 (2001), S. 980-984
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Growth of PrSrMnO~3-like thin films on NGO (110) substrates by plasma assisted MBE : International conference on molecular beam epitaxy
    Liu, G. ; Wang, H. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. S 227-228 (2001), S. 960-965
    Konferenz
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